[发明专利]带有Low-k膜的晶片的分割方法在审
| 申请号： | 201910122464.2 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN110197811A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 田村健太;武田真和;村上健二;荣田光希 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 迹道 切割 变质区域 硅基板 刻划线 分割 晶片表面 扩展处理 研磨 激光束 切断板 抵接 照射 剥离 | ||
【权利要求书】：
1.一种带有Low-k膜的晶片的分割方法，其特征在于，
沿着预先划定的切割迹道，对在硅基板的一个主表面上层叠形成有Low-k膜的带有Low-k膜的晶片进行分割，所述带有Low-k膜的晶片的分割方法具有：
a)变质区域形成工序，通过激光束的照射，在所述硅基板的内部沿着所述切割迹道形成变质区域；
b)背磨工序，对经过所述变质区域形成工序的所述带有Low-k膜的晶片的所述硅基板进行研磨，使所述变质区域作为刻划线而露出；
c)切断工序，通过从所述Low-k膜的一侧沿着所述刻划线使切断板抵接于经过所述背磨工序的所述带有Low-k膜的晶片，从而对所述带有Low-k膜的晶片进行切断；以及
d)扩展工序，通过对经过所述切断工序的所述带有Low-k膜的晶片进行扩展处理，从而使所述带有Low-k膜的晶片的被所述切割迹道区划的部分相互分离。
2.根据权利要求1所述的带有Low-k膜的晶片的分割方法，其特征在于，
在所述切断工序中，作为所述切断板，使用刀刃角为5°～25°、曲率半径为5μm～25μm的切断板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星钻石工业株式会社，未经三星钻石工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910122464.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶圆传送装置及封装机构
- 下一篇：板状物的加工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
