[发明专利]由磁性纳米纤维铁电薄膜组合的磁电复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201910122928.X | 申请日: | 2019-02-19 |
公开(公告)号: | CN109994315B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 祁亚军;刘楠楠;郑志强;杜鹏程;章天金 | 申请(专利权)人: | 湖北大学 |
主分类号: | H01F41/30 | 分类号: | H01F41/30;D01F9/08 |
代理公司: | 武汉河山金堂专利事务所(普通合伙) 42212 | 代理人: | 丁齐旭 |
地址: | 430062 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 纳米 纤维 薄膜 组合 磁电 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种由磁性纳米纤维铁电薄膜组合的磁电复合材料,其特征在于在导电衬底上,用静电纺丝法制备一层磁性纳米纤维,再在其上用脉冲激光沉积法生长覆盖磁性纳米纤维的铁电薄膜,形成一种1-2型磁电复合薄膜材料;所述衬底材料为Pt/Ti/SiO2/Si或Nb-SrTiO3导电衬底材料,所述磁性纳米纤维为CFO,或者是NiFe2O4或者是(La, Sr)MnO3磁性材料,纤维直径为70~90 nm, 纤维长度为1~3 μm,所述铁电薄膜为PZT、或钛酸钡、或钛酸铅、或铌镁钛酸铅压电材料,厚度为300~500 nm;
所述CFO为CoFe2O4材料;
所述静电纺丝法制备一层磁性纳米纤维的方法为:
1)、按照Co2+与Fe3+摩尔比1:2称量硝酸钴与硝酸铁,将其溶于N,N-二甲基甲酰胺与乙醇的混合溶液中,其两溶剂比例为1:0.5~1.5,常温搅拌20 min,待其完全溶解;加入0.8 g聚乙烯吡咯烷酮,常温搅拌5-6 h至聚合物完全溶解;再将溶液超声20 min,静置一天,得到均一稳定的CFO前驱体溶液;
2)、用高压静电纺丝机将CFO前驱体溶液纺丝涂布在经超声清洗过的Pt/Ti/SiO2/Si或Nb-SrTiO3衬底上,设定纺丝参数:温度为40 ℃,湿度14~18 %,正压18 kV,负压-3 kV,接收滚筒转速140 r/min,推注速率0.07 mm/min,针尖距离接收端距离~15 cm;纺丝5~10 s后取出衬底;
3)、将取出的衬底进行退火结晶,升温速率以2 ℃/min上升到70 ℃,保温2 h,再以升温速率2 ℃/min上升到400 ℃,保温2 h,再以升温速率1 ℃/min升温到750 ℃,达到结晶温度保温2 h,使CFO纳米纤维结晶,在衬底上制备了一层磁性纳米纤维。
2.一种由磁性纳米纤维铁电薄膜组合的磁电复合材料的制备方法,其特征包括以下步骤:
步骤一:利用硝酸铁,硝酸钴化学试剂为原料制备CFO前驱体溶液
(1)溶剂选用N,N-二甲基甲酰胺和乙醇,N,N-二甲基甲酰胺与乙醇溶剂配比按照1:0.5~1.5不同比例进行混合,按照Co2+与Fe3+摩尔比1:2称量硝酸钴与硝酸铁,将其溶于N,N-二甲基甲酰胺与乙醇的混合溶液中,常温搅拌20 min,待其完全溶解;
(2)加入0.8 g聚乙烯吡咯烷酮,常温搅拌5-6 h至聚合物完全溶解;
(3)将溶液超声20 min,静置一天,得到均一稳定的CFO前驱体溶液;
所述CFO为CoFe2O4材料;
步骤二:清洗衬底
依次用丙酮、乙醇超声清洗Pt/Ti/SiO2/Si和Nb-SrTiO3衬底;
步骤三:用静电纺丝法制备CFO纳米纤维
(1)注射器规格选用10 mL,针头直径选用0.7 mm,用一次性注射器抽取一定容量的电纺前驱体溶液,并除去溶液中的气泡;
(2)将装有电纺溶液的注射器安装在电纺夹具上,调整好注射器针尖和接收极板的角度,并保持一定的接收距离;
(3)开启蠕动泵电源,使蠕动泵推进装置与注射器紧密接触;
(4)在接收滚筒上卷一圈锡箔纸,将超声清洗过的Pt/Ti/SiO2/Si或Nb-SrTiO3衬底用双面胶粘在锡箔纸上;
(5)设置高压静电纺丝机纺丝参数,设定纺丝温度为40 ℃,湿度14~18 %,正压18 kV,负压-3 kV,接收滚筒转速140 r/min,推注速率0.07 mm/min,针尖距离接收端距离~15 cm;
(6)启动高压电源开关,开始纺丝,纺丝5~10 s后取出衬底;
步骤四:退火结晶
(1)将上步骤静电纺丝完成的制品进行干燥,升温速率以2 ℃/min上升到70 ℃,保温2h,使聚合物纤维的溶剂能充分挥发;
(2)再以升温速率2 ℃/min上升到400 ℃,保温2 h,去除有机物;
(3)以升温速率1 ℃/min升温到750 ℃,达到结晶温度保温2 h,使CFO纳米纤维结晶;
步骤五:上步骤退火结束,取出制品;
步骤六:利用脉冲激光沉积法继续生长铁电材料PZT包覆CFO纳米纤维;
(1)选用PZT为靶材,成分为PbZr0.2Ti0.8O3;
(2)PZT生长参数为:沉积温度580 ℃,流动氧压30 Pa,激光能量210 mJ,脉冲频率5Hz,沉积时长60~120 min,沉积厚度300~500 nm;
沉积生长完成后进行退火,退火温度:650 ℃,氧压:3000 Pa,650 ℃保温时长20 min;
步骤七:将掩膜版放置在制品上,用直流磁控溅射法制备Pt顶电极,工艺参数:溅射功率40 W,流动氩压0.5 Pa,室温,沉积时间90 s;
步骤八:检测制品。
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