[发明专利]具有集成电气功能的基于PCB的半导体封装

权利要求书

1.一种多赫尔蒂放大器，其包括：

具有管芯附接区和外围区的金属基板；

主放大器和一个或多个峰值放大器，其中每个放大器都包括放大器晶体管管芯，所述放大器晶体管管芯包含RF端子；

多层电路板，该多层电路板包括：与多个接地层交错的多个信号层，所述多个信号层包括至少第一信号层和第二信号层，所述多个接地层包含至少第一接地层和第二接地层；附接到所述外围区的第一侧，其中所述第一接地层在所述第一侧处；背向所述金属基板的第二侧，其中所述第一信号层在所述第二侧处；

电路结构，所述电路结构被电气连接到所述放大器晶体管管芯中的至少一个放大器晶体管管芯的RF端子，并且所述电路结构包括第一部分和第二部分，其中：所述第一部分和所述第二部分中的一个形成在所述第一信号层上；并且所述第一部分和所述第二部分中的另一个形成在至少所述第二信号层上，而没有形成在所述第一信号层上。

2.根据权利要求1所述的多赫尔蒂放大器，其中，所述电路结构的所述第一部分包括RF功率分配网络和RF功率组合器网络中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的多赫尔蒂放大器，其中，所述电路结构的所述第二部分包括阻抗变换网络和谐波终端谐振器中的至少一个。

4.根据权利要求3所述的多赫尔蒂放大器，其中：

所述电路结构的所述第一部分包括形成在所述第一信号层上的RF功率分配网络和RF功率组合器网络；以及

所述RF功率分配网络经由所述电路结构的所述第二部分连接到所述RF功率组合器网络，所述电路结构的所述第二部分没有形成在所述第一信号层上。

5.根据权利要求1所述的多赫尔蒂放大器，其中，所述电路结构的所述第一部分包括RF功率组合器网络，所述RF功率组合器网络连接到主放大器晶体管管芯和一个或多个峰值放大器晶体管管芯的所述RF端子。

6.根据权利要求5所述的多赫尔蒂放大器，其中，所述RF功率组合器网络经由阻抗变换网络连接到所述放大器晶体管管芯的至少一个RF端子，所述阻抗变换网络包括所述电路结构的所述第二部分。

7.根据权利要求1所述的多赫尔蒂放大器，其中：

所述第一接地层附接到所述金属基板；

所述第二接地层在所述第一信号层下面；以及

所述第二信号层在所述第二接地层下面，并且通过延伸通过所述第二接地层的绝缘通孔电气连接到所述第一信号层。

8.根据权利要求1所述的多赫尔蒂放大器，其中：

所述第一信号层包括电气连接到至少一个放大器晶体管管芯的所述RF端子的第一多个信号金属轨道；以及

所述第二信号层包括通过绝缘通孔电气连接到所述第一信号层的所述第一多个信号金属轨道的相应信号金属轨道的第一多个信号金属轨道。

9.根据权利要求8所述的多赫尔蒂放大器，其中：

所述第一信号层包括与所述第一信号层的所述第一多个信号金属轨道分开的第二多个信号金属轨道；以及

所述第二信号层的所述第一多个信号金属轨道通过第一组绝缘通孔电气连接到所述第一信号层的所述第一多个信号金属轨道的相应信号金属轨道，并且通过第二组绝缘通孔电气连接到所述第一信号层的所述第二多个信号金属轨道的相应信号金属轨道。

10.根据权利要求9所述的多赫尔蒂放大器，其中：

所述第一信号层包括与所述第一信号层的所述第一多个信号金属轨道和所述第二多个信号金属轨道分开的多个接地金属轨道；以及

所述第一信号层的所述第二多个信号金属轨道和所述多个接地金属轨道在所述多层电路板的所述第二侧处交错。

11.根据权利要求10所述的多赫尔蒂放大器，其中，所述第一信号层的所述多个接地金属轨道通过延伸通过所述多层电路板的绝缘通孔电气连接到所述多层电路板的所述第一侧处的所述第一接地层。