[发明专利]一种基于同轴硅通孔的可配置三维微波滤波器有效
申请号: | 201910123529.5 | 申请日: | 2019-02-18 |
公开(公告)号: | CN109950230B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 尹湘坤;朱樟明;杨银堂;李跃进;丁瑞雪 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 张捷 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 同轴 硅通孔 配置 三维 微波 滤波器 | ||
1.一种基于同轴硅通孔的可配置三维微波滤波器,其特征在于,自上而下依次包括接地层(1)、第一互连层(2)、硅通孔电容层(3)以及第二互连层(4),其中,
第一互连层(2)上设置有多个第一连接件(21),所述第二互连层(4)上设置有多个第二连接件(41);
所述接地层(1)包括地引出端(11),所述地引出端(11)作为所述可配置三维微波滤波器的地端;
所述硅通孔电容层(3)包括衬底(31)和穿透所述衬底(31)的多个硅通孔结构(6);
所述多个硅通孔结构(6)通过所述多个第一连接件(21)和所述多个第二连接件(41)依次首尾连接,形成一立体螺旋电感器(5);
每个所述硅通孔结构(6)沿轴向方向从外向内依次包括隔离介质环(61)、外层金属环(62)、电容介质环(63)和内层金属柱(64);
所述地引出端(11)包括相互平行的第一电容接地极板(111)和第二电容接地极板(112),其中,
所述第一电容接地极板(111)包括至少一个第一伸出部(1111),一个所述第一伸出部(1111)与一个所述硅通孔结构(6)的内层金属柱(64)接触;
所述第二电容接地极板(112)包括至少一个第二伸出部(1112),一个所述第二伸出部(1112)与一个所述硅通孔结构(6)的内层金属柱(64)接触。
2.根据权利要求1所述的可配置三维微波滤波器,其特征在于,所述第一互连层(2)上还设置有输入件(22)和输出件(23),所述输入件(22)连接至所述立体螺旋电感器(5)的输入端,所述输出件(23)连接至所述立体螺旋电感器(5)的输出端。
3.根据权利要求1所述的可配置三维微波滤波器,其特征在于,所述多个第一连接件(21)平行设置,分别连接相应所述硅通孔结构(6)的外层金属环(62)的上端;所述多个第二连接件(41)平行设置,分别连接相应所述硅通孔结构(6)的外层金属环(62)的下端,以形成所述立体螺旋电感器(5)。
4.根据权利要求1所述的可配置三维微波滤波器,其特征在于,所述硅通孔结构(6)的直径为25-30μm。
5.根据权利要求1所述的可配置三维微波滤波器,其特征在于,多个所述硅通孔结构(6)排列成2*N的硅通孔结构阵列,包括第一列硅通孔结构和第二列硅通孔结构,其中,N≥2。
6.根据权利要求5所述的可配置三维微波滤波器,其特征在于,所述第一电容接地极板(111)包括多个第一伸出部(1111),所述多个第一伸出部(1111)分别连接至所述第一列硅通孔结构中的不同硅通孔结构(6)的内层金属柱(64);所述第二电容接地极板(112)包括多个第二伸出部(1121),所述多个第二伸出部(1121)连接至所述第二列硅通孔结构中的不同硅通孔结构(6)的内层金属柱(64)。
7.根据权利要求1所述的可配置三维微波滤波器,其特征在于,所述接地层(1)与第一互连层(2)之间设置有第一隔离介质层(7)。
8.根据权利要求1所述的可配置三维微波滤波器,其特征在于,所述第一互连层(2)与硅通孔电容层(3)之间设置有第二隔离介质层(8),所述硅通孔电容层(3)与所述第二互连层(4)之间设置有第三隔离介质层(9)。
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