[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

在基底上形成成型层，成型层具有暴露基底的一部分的孔；

在孔中形成相变层，相变层具有空隙和垂悬部中的至少一个；

对相变层进行热处理以从相变层去除空隙和垂悬部中的至少一个，

其中，对相变层进行热处理的步骤包括将基底加热至第一温度以在相变层中形成扩散层，

其中，第一温度比相变层的熔点的55％低或等于相变层的熔点的55％。

2.如权利要求1所述的方法，其中，以相变层的熔点的40％-50％的温度形成相变层。

3.如权利要求2所述的方法，

其中，相变层的熔点为约620℃，

其中，以在248℃至310℃的范围中的温度执行形成相变层的步骤。

4.如权利要求3所述的方法，其中，第一温度等于相变层的熔点的约50％或者比相变层的熔点的约50％高，且在约310℃至340℃的范围内。

5.如权利要求2所述的方法，

其中，相变层的熔点为约600℃，

其中，以在240℃至300℃的范围中的温度执行形成相变层的步骤。

6.如权利要求5所述的方法，其中，第一温度等于相变层的熔点的50％或者比相变层的熔点的50％高，且在300℃至330℃的范围内。

7.如权利要求1所述的方法，其中，利用硫系化合物作为靶材料通过物理气相沉积方法或溅射方法形成相变层。

8.如权利要求1所述的方法，

其中，相变层包含其中Ge：Sb：Te的组成比为约2：3：5的硫系化合物，

其中，空隙被填充有包含硫系化合物的Sb和Te元素的材料。

9.如权利要求1所述的方法，其中，相变层包括：

下相变层；

上相变层，形成在下相变层上，

其中，扩散层形成在孔中，并位于上相变层与下相变层之间。

10.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括对相变层进行抛光。

11.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

在基底上形成成型层，成型层具有暴露基底的一部分的孔；

以比室温高的第一温度在孔中形成相变层，相变层具有空隙；

以第二温度对相变层进行热处理以去除空隙，第二温度比第一温度高，

其中，第二温度比相变层的熔点的55％低或者等于相变层的熔点的55％。

12.如权利要求11所述的方法，其中，相变层的熔点为约620℃，

其中，第二温度比340℃低或等于340℃。

13.如权利要求12所述的方法，其中，相变层的熔点为约600℃，

其中，第二温度比330℃低或等于330℃。

14.如权利要求11所述的方法，其中，第一温度为相变层的熔点的40％至50％。

15.如权利要求14所述的方法，其中，第二温度比相变层的熔点的50％高，或者等于相变层的熔点的50％。