[发明专利]一种电阻法碳化硅晶体生长用坩埚

权利要求书

1.一种电阻法碳化硅晶体生长用坩埚，包括顶盖(1)、上籽晶片架(2)、上压片(3)、上籽晶压环(4)、上籽晶片(5)、晶锭(6)、下籽晶压环(7)、下籽晶片架(8)、下压片(9)、坩埚底筒(10)和下籽晶片(11)，其特征在于：所述坩埚底筒(10)内侧底部安置有下籽晶片架(8)，且下籽晶片架(8)正中心处放置有下籽晶片(11)，所述下籽晶片(11)上方放置有下压片(9)，且下压片(9)上压有下籽晶压环(7)，所述下籽晶压环(7)上放置有横截面与坩埚底筒内部横截面完全相同的晶锭(6)，所述晶锭(6)上方压有上籽晶压环(4)，且上籽晶压环(4)上方放置有上压片(3)，所述上压片(3)上方放置有上籽晶片(5)，且上籽晶片(5)上方放置有上籽晶片架(2)，所述上籽晶片架(2)上方的坩埚底筒(10)顶部放置有顶盖(1)，且所述顶盖(1)和所述上压片(3)将上籽晶片(5)压紧于顶盖中心处。

2.根据权利要求1所述的一种电阻法碳化硅晶体生长用坩埚，其特征在于：所述上籽晶片架(2)的内侧底部与下籽晶片架(4)顶部设置有环形凹槽，且两处环形凹槽分别与上压片(3)及下压片(9)外侧凸出的边缘紧密配合；

所述上籽晶片架(2)和上籽晶压环(4)相互配套且设置有多组不同尺寸，所述下籽晶片架(8)和下籽晶压环(7)相互配套且设置有多组不同尺寸；

所述上压片(3)设置为圆环形结构，且上压片(3)内侧凸出的边缘与上籽晶片(5)的尺寸相配合且压住上籽晶片(5)的边缘；且下压片(9)内侧凸出的边缘与下籽晶片(11)的尺寸相配合且压住下籽晶片(11)的边缘；

所述上籽晶片(5)厚度范围为0.3-5mm；

所述坩埚底筒(10)内部以晶锭(6)的中心处为对称中心，上下结构对称。

3.一种电阻发碳化硅晶体生长用坩埚的装配方法，其用于装配权利要求2所述的一种电阻法碳化硅晶体生长用坩埚，其特征在于：

1)选择尺寸完全相同的一对上籽晶片(5)和下籽晶片(11)，先根据上籽晶片(5)和下籽晶片(11)厚度和外径尺寸选择对应的上籽晶片架(2)、下籽晶片架(8)和上压片(3)、下压片(9)，并根据中间放置的晶锭的高度选择合适高度的上籽晶压环(4)和下籽晶压环(7)，备好待用；

2)在坩埚底筒(10)之内放下下籽晶片架(8)置于坩埚底筒(10)底部，接着在正中放好下籽晶片(11)，然后用下压片(9)压住下籽晶片(11)并保持边缘配合，并使得下籽晶片架(8)的环形凹槽与下压片(9)外侧凸出的边缘紧密配合，放下籽晶压环(7)压住下籽晶片架(8)与下压片(9)相配合的结构；

3)在下籽晶压环(7)之上放上晶锭(6)，在晶锭(6)之上放上籽晶压环(4)，在上籽晶压环(4)之上倒着放置上压片(3)，放上上籽晶片(5)并保持上籽晶片(5)与上压片(3)内侧凸出的边缘相配合后，放置上籽晶片架(2)，并使得上籽晶片架(2)的环形凹槽与上压片(3)外侧凸出的边缘紧密配合，再放上顶盖(1)压紧。