[发明专利]紫外发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910124859.6 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110047979B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种紫外发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，其特征在于，
所述多量子阱层由多个周期的超晶格结构组成，每个超晶格结构均包括依次层叠的GaN阱层和BAlN垒层，所述BAlN垒层为BxAl1-xN垒层，0＜x＜0.2
2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述多量子阱层包括n个周期的超晶格结构，2≤n≤10。
3.根据权利要求1所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述BAlN垒层的厚度为3～10nm。
4.一种紫外发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长低温缓冲层、未掺杂的GaN层和N型层；
在所述N型层上生长多量子阱层，所述多量子阱层由多个周期的超晶格结构组成，每个超晶格结构均包括依次层叠的GaN阱层和BAlN垒层，所述BAlN垒层为BxAl1-xN垒层，0＜x＜0.2
在所述多量子阱层上依次生长电子阻挡层、P型层和P型接触层。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述在所述N型层上生长多量子阱层包括：
采用氨气作为氮源，生长所述GaN阱层和所述BAlN垒层；
生长所述GaN阱层时通入的氨气的流量为第一氨气流量，生长所述BAlN垒层时通入的氨气的流量为第二氨气流量，所述第一氨气流量大于所述第二氨气流量。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一氨气流量为40～100L/min，所述第二氨气流量为5～20L/min。
7.根据权利要求4～6任一项所述的制造方法，其特征在于，所述GaN阱层的生长温度大于所述BAlN垒层的生长温度。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述GaN阱层的生长温度为1000～1100℃，所述BAlN垒层的生长温度为950～1050℃。
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