[发明专利]电压测量方法及电压测量电路

说明书

本发明提供一种电压测量方法及电压测量电路，涉及半导体技术领域。该方法包括：根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第一电压和第二电压，所述第一电压和所述第二电压为所述NMOS管的栅极的电位处于不同状态时，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻之间的电位；根据所述第一电压、所述第二电压和至少两个所述分压电阻进行计算，得到所述发光二极管两端的当前电压。通过在不同连接状态所对应的不同电压测量电路中，分别获取第一电压和第二电压，并结合电压测量电路中各个分压电阻对应的参数值进行计算，得到发光二极管两端的当前电压，避免了在发光二极管工作时添加分压电阻进行检测的情况，提高了获取当前电压的准确性和灵活性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种电压测量方法及电压测量电路。

背景技术

在通过发光二极管进行照明的过程中，发光二极管会随着使用时长的增加而出现老化，造成发光二极管的亮度衰减。因此，需要检测发光二极管中PN结的电压，从而根据检测得到的电压对发光二极管的亮度进行补偿。

相关技术中，如图1-a所示，NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属氧化物半导体)晶体管(NMOS管)M1的漏极与发光二极管L1的N极通过电阻(R11和R12)连接，NMOS管M1的源极与地电位连接，发光二极管L1的P极与电源电压连接、N极与电流源I1连接，以便通过电流源I1对发光二极管L1进行驱动，当NMOS管M1的栅极与高电平连接时，NMOS管M1导通，可以通过如图1-a所示的电路检测得到发光二极管L1的N极与地电位之间的第一电压，并通过与图1-a所示的电路类似的如图1-b所示的电路检测得到发光二极管L1的P极与地电位之间的第二电压，从而得到发光二极管L1的P极与N极之间的电压。

但是，在发光二极管L1实际工作过程中，并不存在相连接的两个电阻，从而导致测量的发光二极管L1中PN结的电压不准确。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种电压测量方法及电压测量电路，以解决测量的发光二极管中PN结的电压不准确的问题。

为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种电压测量方法，应用于电压测量电路，所述电压测量电路包括发光二极管、N型场效应晶体NMOS管和至少两个分压电阻，所述至少两个分压电阻包括第一分压电阻和第二分压电阻，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻串联连接；所述方法包括：

根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第一电压和第二电压，所述第一电压和所述第二电压为所述NMOS管的栅极的电位处于不同状态时，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻之间的电位；

根据所述第一电压、所述第二电压和至少两个所述分压电阻进行计算，得到所述发光二极管两端的当前电压。

可选的，所述根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第一电压，包括：

将所述NMOS管的栅极与电源电压连接；

获取所述第一电压。

可选的，所述根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第二电压，包括：

将所述NMOS管的栅极与所述发光二极管的N极连接；

获取所述第二电压。

可选的，所述根据所述第一电压、所述第二电压和至少两个所述分压电阻进行计算，得到所述发光二极管两端的当前电压，包括：

根据所述第一分压电阻的参数值和所述第二分压电阻的参数值进行计算，得到比例参数；

根据所述第一电压、所述第二电压和所述比例参数进行计算，得到所述当前电压。