[发明专利]一种基于光子晶体平板微腔的磁场传感器有效
| 申请号： | 201910124976.2 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN109884558B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 葛道晗;靳鹏飞;张立强;施建培;魏金秀;张远;杨宁 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光子 晶体 平板 磁场 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于光子晶体平板微腔的磁场传感器，其特征在于，包括光子晶体平板和磁敏薄膜；
所述光子晶体平板上设有若干阵列布置的空气孔(2)；所述空气孔呈等边三角形排列；所述空气孔的半径为r＝0.29a，其中a为光子晶体的晶格常数，a＝420nm；
所述光子晶体平板上设有点缺陷微腔，所述磁敏薄膜(5)覆盖在微腔表面；所述点缺陷微腔为L3型点缺陷微腔(4)；所述L3型点缺陷微腔(4)边缘的两个空气孔(2)分别向外侧移动△x＝0.15a；
所述光子晶体平板上设有光子晶体波导。
2.根据权利要求1所述的基于光子晶体平板微腔的磁场传感器，其特征在于，所述光子晶体波导为空气桥结构。
3.根据权利要求1所述的基于光子晶体平板微腔的磁场传感器，其特征在于，所述光子晶体波导的波导宽度为
4.根据权利要求3所述的基于光子晶体平板微腔的磁场传感器，其特征在于，所述光子晶体平板的材质为Si基板(1)；所述Si基板(1)的厚度为h＝0.6a,有效折射率为n＝3.4。
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