[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其优化后处理方法

权利要求书

1.一种碲化镉薄膜太阳能电池的优化后处理方法，其特征在于：碲化镉薄膜太阳能电池包括依次设置的FTO玻璃层、CdS层、CdTe层、活化层、铜金属层、钼层；所述活化层包括MgCl₂和Ga₂(SO4)₃；

优化后处理方法包括如下步骤：

S1选择FTO玻璃作为基底材料；

S2在FTO玻璃上沉积CdS层；

S3在CdS层上沉积CdTe层；

S4在所述CdTe层上涂覆活化层；

S5活化层退火处理；

S6在所述活化层上涂覆铜；

S7进行背电极的沉积；

S8进行封装；

所述活化层为0.1-0.3mol/L的MgCl₂和0.03-0.06mol/L的Ga₂(SO4)₃，再加入HCl或者H₂SO₄调节pH值到1.5-2.5的混合溶液。

2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池的优化后处理方法，其特征在于：所述FTO玻璃透过率大于80％；用丙酮、去离子水清洗。

3.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池的优化后处理方法，其特征在于：所述步骤S2中将FTO玻璃导电面面向蒸发源，距离为2mm，FTO玻璃加热到500-550℃，硫化镉粉末加热温度为500-600℃，通过蒸发时间控制薄膜厚度为100-150nm。

4.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池的优化后处理方法，其特征在于：所述步骤S3中在硫化镉层上沉积吸收层碲化镉，基底与蒸发源距离为10mm，基底温度保持在500-550℃，碲镉粉末加热温度为550-650℃，其中碲化镉沉积腔室压力为1000Pa，通过蒸发时间控制薄膜厚度为2.5-3um。

5.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池的优化后处理方法，其特征在于：所述步骤S4中将0.1-0.3mol/L的MgCl₂和0.03-0.06mol/L的Ga₂(SO4)₃搅拌60min配成均匀混合溶液，加入HCl或者H₂SO₄调节混合溶液的PH值为1.5-2.5，将配置好的溶液均匀滚涂到CdTe层表面，滚涂温度为50-70℃。

6.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池的优化后处理方法，其特征在于：所述步骤S5中活化层退火处理为将MgCl₂和G_a2(SO4)₃的混合溶液涂覆后干燥，在大气条件下400-450℃退火20-30min。

7.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池的优化后处理方法，其特征在于：还包括步骤S51，将退火处理后的样品在H₂SO₄和K₂Gr₂O₇进行酸刻蚀，NaOH和Na₂S₂O₃溶液中进行碱刻蚀，分别酸刻蚀2S，碱刻蚀2min。

8.根据权利要求7所述的碲化镉薄膜太阳能电池的优化后处理方法，其特征在于：所述步骤S6为对刻蚀后样品进行铜扩散处理。

9.根据权利要求7所述的碲化镉薄膜太阳能电池的优化后处理方法，其特征在于：所述步骤S7为采用磁控溅射法进行钼电极的制备，50W/cm功率下制备80-120nm厚的钼层。