[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模的制造方法、及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种相移掩模坯料，其在透明基板上具有相移膜和在该相移膜上的蚀刻掩模膜，其特征在于，

所述相移掩模坯料是用于形成相移掩模的原版，以在所述蚀刻掩模膜形成有期望的图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，

所述相移膜含有过渡金属、硅、氧，氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，

在所述相移膜和所述蚀刻掩模膜的界面形成组成倾斜区域，在该组成倾斜区域，包含所述氧的比例朝向深度方向阶段性地和/或连续性地增加的区域，

在从所述相移膜和所述蚀刻掩模膜的界面到10nm深度的区域为止的氧相对于硅的含有比率为3.0以下。

2.如权利要求1所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述相移膜由多个层构成。

3.如权利要求1所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述相移膜由单一的层构成。

4.如权利要求1～3中任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述相移膜含有氮。

5.如权利要求4所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述相移膜的氮的含有率为2原子％以上60原子％以下。

6.如权利要求1～3中任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述相移膜的膜应力为0.2GPa以上0.8GPa以下。

7.如权利要求1～3中任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述蚀刻掩模膜由铬系材料构成。

8.如权利要求1～3中任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述蚀刻掩模膜含有氮、氧、碳中的至少任一种。

9.如权利要求1～3中任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述透明基板为矩形的基板，该透明基板的短边的长度为300mm以上。

10.一种相移掩模的制造方法，其特征在于，包括：

准备权利要求1～9中任一项所述的相移掩模坯料的工序；

在所述相移掩模坯料上形成抗蚀剂膜的工序；

通过在所述抗蚀剂膜上进行期望的图案的描绘、显影来形成抗蚀剂膜图案，以该抗蚀剂膜图案作为掩模，通过湿式蚀刻对所述蚀刻掩模膜进行构图，形成所述蚀刻掩模膜图案的工序；

以所述蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成相移膜图案的工序。

11.一种显示装置的制造方法，其特征在于，

包括使用通过权利要求1～9中任一项所述的相移掩模坯料制造的相移掩模或使用通过权利要求10所述的相移掩模的制造方法制造的相移掩模，将转印图案曝光转印到显示装置上的抗蚀剂膜的工序。