[发明专利]用于摄像元件用光电转换元件的材料和包含该材料的光电转换元件在审
申请号: | 201910125769.9 | 申请日: | 2015-04-22 |
公开(公告)号: | CN110085742A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 药师寺秀典;新见一树;森田陵太郎;山本达也;井内俊文;滨田雅裕 | 申请(专利权)人: | 日本化药株式会社 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L27/146;C07D495/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电转换元件 式( 1 ) 摄像元件 耐热性 空穴 芳香族基团 电子泄漏 可见光 | ||
1.一种摄像元件用光电转换元件,其具有第一电极膜A、第二电极膜B和配置在该第一电极膜和该第二电极膜之间的光电转换部C,其中,该光电转换部C至少包含光电转换层c-1和除光电转换层以外的有机薄膜层c-2而得到,且该除光电转换层以外的有机薄膜层c-2包含用于摄像元件用光电转换元件的材料而得到,所述用于摄像元件用光电转换元件的材料包含下述式(1)所示的化合物,
式(1)中,R1和R2各自独立地表示取代或未取代的杂环基团。
2.如权利要求1所述的摄像元件用光电转换元件,其中,式(1)的化合物为下述式(2)所示的化合物,
式(2)中,R1和R2表示与权利要求1所述的式(1)中的R1和R2相同的含义。
3.如权利要求1或2所述的摄像元件用光电转换元件,其中,式(1)或式(2)中的R1和R2为取代或未取代的咔唑基。
4.如权利要求1或2所述的摄像元件用光电转换元件,其中,除光电转换层以外的有机薄膜层c-2为电子阻挡层。
5.如权利要求1或2所述的摄像元件用光电转换元件,其中,除光电转换层以外的有机薄膜层c-2为空穴阻挡层。
6.如权利要求1或2所述的摄像元件用光电转换元件,其中,除光电转换层以外的有机薄膜层c-2为电子传输层。
7.如权利要求1或2所述的摄像元件用光电转换元件,其中,除光电转换层以外的有机薄膜层c-2为空穴传输层。
8.如权利要求1或2所述的摄像元件用光电转换元件,其中,所述摄像元件用光电转换元件还具有:
具有空穴累积部的薄膜晶体管D、和
读取与在该薄膜晶体管内累积的电荷相对应的信号的信号读取部E。
9.如权利要求8所述的摄像元件用光电转换元件,其中,具有空穴累积部的薄膜晶体管D还具有将空穴累积部与第一电极膜和第二电极膜中的任一者进行电连接的连接部d。
10.一种摄像元件,其通过将多个权利要求1~9中任一项所述的摄像元件用光电转换元件以阵列状配置而得到。
11.一种光学传感器,其包含权利要求1~9中任一项所述的摄像元件用光电转换元件或权利要求10所述的摄像元件。
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