[发明专利]用于量子位器件的具有顶部超导体层的封装衬底

权利要求书

1.一种超导量子位器件封装，包括：

具有第一面和相对的第二面的量子位管芯，其中量子位管芯包括超导量子位器件，所述超导量子位器件包括在量子位管芯的第一面处的至少一个谐振器；

具有第一面和相对的第二面的封装衬底；以及

第一级互连，其将在量子位管芯的第一面处的导电触点与在封装衬底的第二面处的相关联的导电触点耦合，

其中封装衬底的第二面包括面向至少一个谐振器的至少一部分的超导体。

2.根据权利要求1所述的超导量子位器件封装，其中封装衬底包括：金属化堆叠，所述金属化堆叠具有在封装衬底内的不同平面中的多个金属层，相邻的平面中的每对金属层由绝缘层分离。

3.根据权利要求2所述的超导量子位器件封装，进一步包括在超导体的部分与金属化堆叠的第一金属层的部分之间的焊料掩模。

4.根据权利要求3所述的超导量子位器件封装，其中超导体具有10与1000纳米之间的厚度。

5.根据权利要求3或4所述的超导量子位器件封装，其中所述第一金属层的所述部分被连接到地电位。

6.根据权利要求2所述的超导量子位器件封装，其中超导体与金属化堆叠的第一金属层的部分接触。

7.根据权利要求6所述的超导量子位器件封装，其中超导体包括基本上不被焊料润湿的一种或多种超导材料。

8.根据权利要求6或7所述的超导量子位器件封装，其中超导体具有10与2000纳米之间的厚度。

9.根据权利要求2-8中的任一项所述的超导量子位器件封装，其中至少一个第一级互连被耦合到金属层，所述至少一个第一级互连将超导量子位器件的传输线的信号导体耦合到在封装衬底的第二面处的相关联的导电触点，所述金属层位于最靠近于金属层的平面的平面中，所述金属层的平面最靠近于量子位管芯。

10.根据权利要求2-9中的任一项所述的超导量子位器件封装，其中超导量子位器件的一条或多条传输线的至少一个接地导体经由最靠近于量子位管芯的金属化堆叠的金属层中的一条或多条金属线被连接到地电位，并且一条或多条传输线的至少一个信号导体经由金属化堆叠的金属层中的一条或多条金属线被连接到信号电位，所述金属化堆叠的金属层最靠近于与量子位线最靠近的金属层并且和与量子位线最靠近的金属层在不同的平面中。

11.根据权利要求2-10中的任一项所述的超导量子位器件封装，其中封装衬底的与至少一个谐振器相对的区域包括最靠近于量子位管芯的金属化堆叠的金属层的一条或多条金属线。

12.根据权利要求11所述的超导量子位器件封装，其中超导体在所述区域中的一条或多条金属线之上或在所述区域中的一条或多条金属线上。

13.根据权利要求1-12中的任一项所述的超导量子位器件封装，其中在量子位管芯的第一面处的导电触点被连接到超导量子位器件的一条或多条通量偏置线。

14.根据权利要求13所述的超导量子位器件封装，其中第一级互连和封装衬底被配置成使得能够从控制逻辑向量子位管芯的一条或多条通量偏置线提供电流，以用于调谐超导量子位器件的一个或多个超导量子位的谐振频率。

15.根据权利要求1-12中的任一项所述的超导量子位器件封装，其中在量子位管芯的第一面处的导电触点被连接到超导量子位器件的一条或多条驱动线。