[发明专利]一种超低损耗两路电源切换防倒灌电路在审
| 申请号： | 201910126088.4 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN109831020A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陈石平;陈顺清;郑彩霞;彭进双;谈书才 | 申请（专利权）人： | 广州奥格智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H02J9/06 | 分类号： | H02J9/06 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 510520 广东省广州市天河区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电源连接 电源 超低损耗 电路 两路 背靠背连接 偏置电阻 上拉电阻 栅极连接 接地 静态电流损耗 背靠背 前级电路 双路电源 无缝切换 两组 | ||
1.一种超低损耗两路电源切换防倒灌电路，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、上拉电阻、偏置电阻、第一路电源和第二路电源，所述上拉电阻包括第一上拉电阻和第二上拉电阻，所述偏置电阻包括第一偏置电阻和第二偏置电阻；
所述第一PMOS管的源极背靠背连接第二PMOS管的源极，所述第一PMOS管的漏极与第一路电源连接，所述第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极连接并通过第二上拉电阻与第二路电源连接以及通过第一偏置电阻接地；
所述第三PMOS管的源极背靠背连接第四PMOS管的源极，所述第三PMOS管的漏极与第二路电源连接，所述第三PMOS管的栅极和第四PMOS管的栅极连接并通过第一上拉电阻与第一路电源连接以及通过第二偏置电阻接地；
所述第二PMOS管的漏极和第四PMOS管的漏极连接并输出。
2.根据权利要求1所述的超低损耗两路电源切换防倒灌电路，其特征在于，所述偏置电阻阻值至少大于上拉电阻阻值两个数量级。
3.根据权利要求1所述的超低损耗两路电源切换防倒灌电路，其特征在于，所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管使用同种型号的PMOS管。
4.根据权利要求3所述的超低损耗两路电源切换防倒灌电路，其特征在于，所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管均使用型号为AO3401A的PMOS管。
5.根据权利要求1所述的超低损耗两路电源切换防倒灌电路，其特征在于，所述第一路电源和第二路电源均为直流电源。
6.一种超低损耗两路电源切换防倒灌电路，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、上拉电阻、偏置电阻、第一路电源和第二路电源，所述上拉电阻包括第一上拉电阻和第二上拉电阻，所述偏置电阻包括第一偏置电阻和第二偏置电阻；
所述第一PMOS管的漏极背靠背连接第二PMOS管的漏极，所述第一PMOS管的源极与第一路电源连接，所述第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极连接并通过第二上拉电阻与第二路电源连接以及通过第一偏置电阻接地；
所述第三PMOS管的漏极背靠背连接第四PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的源极与第二路电源连接，所述第三PMOS管的栅极和第四PMOS管的栅极连接并通过第一上拉电阻与第一路电源连接以及通过第二偏置电阻接地；
所述第二PMOS管的漏极和第四PMOS管的源极连接并输出。
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