[发明专利]一种键合方法有效
申请号: | 201910126250.2 | 申请日: | 2019-02-20 |
公开(公告)号: | CN111599693B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 李俊龙;王英辉 | 申请(专利权)人: | 昆山微电子技术研究院 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
地址: | 215347 江苏省苏州市昆*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 方法 | ||
1.一种键合方法,其特征在于,包括以下步骤:
a)对上基板进行处理,使上基板的键合表面形成若干凸起;对下基板进行处理,使下基板的键合表面形成若干凹槽;所述凸起与凹槽能够一一嵌合对应,且凸起的体积小于凹槽的体积;
所述凸起的长度比凹槽的深度小0.5~1mm;
所述上基板包括金板、银板、铜板、硅板或氮化镓板;
所述下基板包括金板、银板、铜板、硅板或氮化镓板;
b)在所述下基板的键合表面涂覆铜纳米焊膏,先加热至目标温度,然后开始加压,达到目标压力后进行保温保压,使上基板与下基板键合,得到连接件;
在所述上基板的非键合表面和下基板的非键合表面分别固定有衬底,通过对衬底加压实现上基板与下基板的键合;
所述加压的压力为20~30MPa;
所述键合的温度为200~280℃;
所述保温保压的时间为30~100min;
所述键合在还原性气体环境下进行;
所述还原性气体包括甲酸气体,或包括甲酸气体和惰性气体;
所述甲酸气体为经140~160℃的Pt片催化过的甲酸气体;
所述甲酸气体的流量为30~40sccm;所述惰性气体的流量为40~60sccm;
所述衬底为杨氏模量≤410GPa的衬底,选自氧化铝板、碳化硅板或二氧化硅板;
所述衬底的厚度为200~1000μm;
所述铜纳米焊膏中,铜纳米颗粒的粒径为50~800nm。
2.根据权利要求1所述的键合方法,其特征在于,所述凸起的截面形状包括方形、矩形、半圆形、三角形或梯形;所述凹槽的截面形状包括方形、矩形、半圆形、三角形或梯形。
3.根据权利要求1或2所述的键合方法,其特征在于,所述凸起为等截面凸起或非等截面凸起;所述凹槽为等截面凹槽或非等截面凹槽;
所述非等截面凸起包括半球形凸起;所述非等截面凹槽包括半球形凹槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造