[发明专利]制造半导体元件的方法和离子注入装置在审
| 申请号： | 201910126344.X | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110189990A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 鲛岛俊之;永尾友一 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京农工大学;日新离子机器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 周善来;李雪春 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体基体 半导体元件 离子注入工序 离子注入装置 氢离子 制造 退火 稀有气体离子 掺杂离子 方块电阻 退火处理 离子 | ||
1.一种制造半导体元件的方法，其通过将离子注入到半导体基体中来制造半导体元件，所述制造半导体元件的方法的特征在于，
所述制造半导体元件的方法包括：
第一离子注入工序，将氢离子或者稀有气体离子注入到所述半导体基体中；以及
第二离子注入工序，将掺杂离子注入到所述半导体基体中。
2.根据权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，
所述制造半导体元件的方法还包括退火处理工序，
所述退火处理工序在所希望的退火温度下加热经过了所述第一离子注入工序和所述第二离子注入工序的所述半导体基体，
所述退火温度为350℃以下。
3.根据权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，
在所述第一离子注入工序之后进行所述第二离子注入工序。
4.根据权利要求2所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，
所述制造半导体元件的方法还包括高温注入工序，所述高温注入工序在所述第一离子注入工序之后所述退火处理工序之前，在高温下将氢离子或者稀有气体离子或者掺杂离子注入到所述半导体基体中。
5.一种离子注入装置，其将离子注入到半导体基体中，所述离子注入装置的特征在于，
将氢离子或者稀有气体离子注入到所述半导体基体中，将掺杂离子注入到所述半导体基体中。
6.根据权利要求5所述的离子注入装置，其特征在于，
所述离子注入装置构成为反复进行所述氢离子或者所述稀有气体离子的注入、以及所述掺杂离子的注入而无需将所述半导体基体取出到大气中。
7.根据权利要求5所述的离子注入装置，其特征在于，
所述离子注入装置包括：
基板驱动装置，在处理室内驱动所述半导体基体；以及
加热机构，设置于所述基板驱动装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人东京农工大学;日新离子机器株式会社，未经国立大学法人东京农工大学;日新离子机器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
