[发明专利]带电粒子束装置和试样加工观察方法

权利要求书

1.一种带电粒子束装置，其特征在于，

所述带电粒子束装置至少具有：镓离子束镜筒，其朝向试样照射镓离子束，形成所述试样的截面；电子束镜筒，其具有半浸没透镜型的物镜，朝向试样照射电子束；以及气体离子束镜筒，其朝向所述试样的截面照射气体离子束，进行所述试样的截面的精加工，

所述气体离子束具有比所述试样的截面的最大直径大的波束直径。

2.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其特征在于，

如下交点与所述气体离子束镜筒的前端部之间的距离大于所述交点与所述镓离子束镜筒的前端部及所述电子束镜筒的前端部之间的距离，其中，所述镓离子束、所述电子束和所述气体离子束各自的波束光轴在该交点交叉。

3.根据权利要求1或2所述的带电粒子束装置，其特征在于，

所述气体离子束镜筒具有物镜和使所述气体离子束偏转的偏转单元，所述偏转单元配置在比所述物镜更接近所述气体离子束镜筒的前端部的位置。

4.根据权利要求3所述的带电粒子束装置，其特征在于，

所述偏转单元由相互对置配置的1组以上的平行平板电极构成，使所述气体离子束向与如下的偏转方向相反的方向偏转，该偏转方向是所述气体离子束由于来自所述电子束镜筒的泄漏磁场而偏转的方向。

5.根据权利要求4所述的带电粒子束装置，其特征在于，

所述偏转单元具有1.5mm以上的偏转能力。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的带电粒子束装置，其特征在于，

所述气体离子束的波束能量为0.5keV以上且1.0keV以下，并且所述气体离子束的波束直径为50μm以上且1000μm以下。

7.根据权利要求1或2所述的带电粒子束装置，其特征在于，

所述气体离子束镜筒具有偏转遮蔽板，该偏转遮蔽板对由于所述电子束镜筒的外部磁场而偏转的所述气体离子束进行遮蔽。

8.一种试样加工观察方法，其使用权利要求1～7中的任意一项所述的带电粒子束装置，其特征在于，

所述试样加工观察方法具有如下的实时加工观察工序：在通过所述气体离子束进行所述试样的截面的精加工的同时，使用所述电子束镜筒以半浸没透镜模式取得所述试样的截面的SEM像。

9.一种试样加工观察方法，其使用权利要求1～7中的任意一项所述的带电粒子束装置，其特征在于，

所述试样加工观察方法交替进行精加工工序和SEM像取得工序，在所述精加工工序中，通过所述气体离子束进行所述试样的截面的精加工，在所述SEM像取得工序中，使用所述电子束镜筒以半浸没透镜模式取得所述试样的截面的SEM像。