[发明专利]存储电路

说明书

本发明公开一种存储电路。所述电路包括多个存储单元、第一跟踪字线驱动器以及第二跟踪字线驱动器。所述第一跟踪字线驱动器响应于所述多个存储单元的第一区被存取而输出第一信号，所述第一信号具有第一脉冲宽度。所述第二跟踪字线驱动器响应于所述多个存储单元的第二区被存取而输出第二信号，所述第二信号具有第二脉冲宽度，所述第二脉冲宽度不同于所述第一脉冲宽度。

技术领域

本发明的实施例是有关于一种读取操作的技术，且特别是有关于一种存储电路。

背景技术

存储阵列数据存取包括被集成电路(integrated circuit，IC)特性影响的读取操作及写入操作，所述集成电路特性例如为寄生电阻及电容电平、操作电压、以及温度及制造工艺变化。该些特性的影响常常与数据被存取的速度及在读取操作及写入操作期间被消耗的功率有关。

为解决性能变化，使用了多种方法，在所述方法中，存储电路被设计成适应针对给定特性的预期范围的值。

发明内容

本发明实施例提供一种存储电路，其特征在于，包括：多个存储单元；第一跟踪字线驱动器，被配置成响应于所述多个存储单元的第一区被存取而输出第一信号，所述第一信号具有第一脉冲宽度；以及第二跟踪字线驱动器，被配置成响应于所述多个存储单元的第二区被存取而输出第二信号，所述第二信号具有第二脉冲宽度，所述第二脉冲宽度不同于所述第一脉冲宽度。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据一些实施例的存储电路的图式；

图2是根据一些实施例的存储电路操作参数的绘图；

图3是根据一些实施例的跟踪单元集合的图式；

图4是根据一些实施例的跟踪字线驱动器的图式；

图5A及图5B是根据一些实施例的字线驱动器的图式；

图6是根据一些实施例的存储电路的图式；

图7是根据一些实施例的对存储单元执行读取操作的方法的流程图；

附图标记说明：

100：存储电路；

110：存储单元；

110A、110B、110C：区；

112A、112B、112C：存储单元的子集/子集；

114A、114B、114C：跟踪单元集合；

120：字线驱动器；

125：字线总线；

130A、130B、130C：跟踪字线驱动器；

140：解码器电路/解码器；

145：地址信息总线；

150：跟踪电路；

160：感测放大器；

300：跟踪单元集合；

300-1、300-2、300-N：跟踪单元；

400：跟踪字线驱动器；

402：与非门；

404：晶体管；

406：晶体管；

500：字线驱动器；