[发明专利]双极晶体管设备和对应的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造双极结型晶体管的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底中，在本征集电极区域下方形成掩埋的非本征集电极区域；

在所述本征集电极区域上形成绝缘区域；

在所述绝缘区域上形成非本征基极区域；以及

在所述非本征集电极区域的形成与所述绝缘区域的形成之间，在所述本征集电极区域中、并且面向所述非本征基极区域形成含碳钝化区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成含碳钝化区域的所述步骤包括：形成碳植入物，所述碳植入物被配置为在所述本征集电极层中形成具有自填隙晶体缺陷的团聚体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述半导体衬底中形成所述掩埋的非本征集电极区域的所述步骤包括：在所述半导体衬底中被深度局部化的区域中植入包括磷离子的掺杂剂，所述本征集电极层包括所述半导体衬底的部分，其中所述部分位于在所述半导体衬底中被深度局部化的所述区域上方。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：通过在所述本征集电极区域上形成的掩模中的孔径植入掺杂剂，来在所述本征集电极区域中形成选择性过掺杂的集电极区域，其中在所述本征集电极区域中形成含碳钝化区域的所述步骤还包括：通过所述掩模中的所述孔径以斜角植入碳，使得所述含碳钝化区域包括被局部放置在所述选择性过掺杂的集电极区域的任一侧上的碳包。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述本征集电极区域中形成含碳钝化区域的所述步骤使得：所形成的所述区域仅在位于所述选择性过掺杂的集电极区域的任一侧上的所述碳包中面向所述非本征基极区域，所述方法包括在面向所述非本征基极区域的所述本征集电极区域的其余部分中形成横向隔离区域的步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述双极结型晶体管是异质结双极晶体管。

7.一种集成电路，包括双极结型晶体管，所述双极结型晶体管包括：

非本征集电极区域，所述非本征集电极区域被掩埋在半导体衬底中，位于本征集电极区域下方；

绝缘区域，所述绝缘区域在所述本征集电极区域上；

非本征基极区域，所述非本征基极区域在所述绝缘区域上；以及

含碳钝化区域，所述含碳钝化区域在所述本征集电极区域中、并且面向所述非本征基极区域。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述含碳钝化区域包括：在所述本征集电极层中形成具有自填隙晶体缺陷的团聚体的碳原子的植入物。

9.根据权利要求7所述的集成电路，其中被掩埋在所述半导体衬底中的所述非本征集电极区域包括：在所述衬底中被深度局部化的区域中的包含磷离子的掺杂剂，所述本征集电极层包括所述半导体衬底的部分，所述部分位于在所述半导体衬底中被深度局部化的所述区域上方。

10.根据权利要求7所述的集成电路，进一步包括所述本征集电极区域中的选择性过掺杂的集电极区域，其中所述本征集电极区域中的所述含碳钝化区域包括：被局部放置在所述选择性过掺杂的集电极区域的任一侧上的碳包。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述本征集电极区域中的所述含碳钝化区域使得：所述含碳钝化区域仅在位于所述选择性过掺杂的集电极区域的任一侧上的所述碳包中面向所述非本征基极区域，所述双极结型晶体管包括：在面向所述非本征基极区域的所述本征集电极区域的其余部分中的横向隔离区域。

12.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述双极结型晶体管是异质结双极晶体管。