[发明专利]蚀刻SiGe前的预处理组合物和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种在蚀刻硅锗之前使用的预处理组合物，所述预处理组合物包括：

酸；

醇；以及

下面式1的硅烷化合物：

<式1>

R-Si(R¹)_n(OR²)_3-n

其中，在式1中，

R是(C3-C20)烷基、(C6-C12)芳基、(C6-C12)芳基(C3-C20)烷基或(C3-C20)烷基(C6-C12)芳基，

R¹是氢、羟基、卤素、(C1-C20)烷基、卤代(C1-C20)烷基、(C6-C12)芳基、(C6-C12)芳基(C1-C20)烷基或(C1-C20)烷基(C6-C12)芳基，

R²是氢、(C1-C20)烷基、卤代(C1-C20)烷基、(C6-C12)芳基、(C6-C12)芳基(C1-C20)烷基或(C1-C20)烷基(C6-C12)芳基，

n是0至2的整数，并且

R中的烷基、芳基、芳基烷基或烷基芳基以及R¹中的烷基、卤代烷基、芳基、芳基烷基或烷基芳基可选择地进一步取代有选自于卤素、羟基、-N(R¹¹)(R¹²)和-S(R¹³)中的一个或更多个取代基，其中，R¹¹、R¹²和R¹³中的每个独立地为氢或(C1-C20)烷基。

2.根据权利要求1所述的预处理组合物，其中：

酸以0.01wt％至20wt％的量存在，

醇以1wt％至90wt％的量存在，

硅烷化合物以0.01wt％至5wt％的量存在，并且

还以0wt％至98.98wt％的量存在有去离子水。

3.根据权利要求1所述的预处理组合物，其中，在式1中，

R是(C3-C20)烷基、卤代(C3-C20)烷基或(C6-C12)芳基，

R²是(C1-C20)烷基，并且

n是0。

4.根据权利要求1所述的预处理组合物，其中，硅烷化合物包括由下面的式(1-1)至式(1-7)中的一个表示的化合物：

5.根据权利要求1所述的预处理组合物，其中，酸包括氢氟酸、盐酸、硼酸、硫酸、硝酸、磷酸、过氧化氢、乙酸、丙酸、二乙酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、酒石酸、葡萄糖酸、琥珀酸、亚氨基二乙酸、甲磺酸、乙磺酸、乳酸、抗坏血酸、缬草酸、丁基乙酸、庚酸、癸酸、苹果酸、马来酸、戊二酸、己二酸、D-葡萄糖酸、衣康酸、柠康酸、中康酸、2-氧代戊二酸、偏苯三酸、茵多酸、谷氨酸和甲基琥珀酸中的一种或更多种。

6.根据权利要求1所述的预处理组合物，其中，醇包括甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、叔丁醇、2-甲氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、3-甲氧基-1-丁醇、戊醇、己醇、2-乙基-1-己醇、庚醇、辛醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇、四氢糠醇、1,2-丁二醇和1,4-丁二醇中的一种或更多种。