[发明专利]一种应用于大输入电容的高带宽高增益跨阻放大器有效
| 申请号： | 201910128387.1 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN109861652B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 甄少伟;章玉飞;周万礼;曾鹏灏;胡怀志;罗萍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/48 | 分类号： | H03F1/48;H03F3/68 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 输入 电容 带宽 增益 放大器 | ||
1.一种应用于大输入电容的高带宽高增益跨阻放大器，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第一电流源、第二电流源、第三电流源、第四电流源和偏置电压源；
第二NMOS管的栅极连接第八NMOS管的栅极并作为所述跨阻放大器的输入端，第二NMOS管的漏极连接第一NMOS管的源极和第二PMOS管的漏极，第二NMOS管的源极连接第三NMOS管、第五NMOS管和第八NMOS管的源极并接地；
第一NMOS管的栅极一方面通过第一电容后接地，另一方面通过第一电阻后连接第七NMOS管的栅极、第六NMOS管和第六PMOS管的漏极，第一NMOS管的漏极连接第四NMOS管的栅极和第四PMOS管的漏极；
第五NMOS管的栅极连接第三NMOS管的栅极和漏极以及第三电流源，第五NMOS管的漏极连接第四NMOS管和第六NMOS管的源极；
第六NMOS管的栅极连接偏置电压源；
第七NMOS管的源极连接第八NMOS管的漏极并作为所述跨阻放大器的输出端，第七NMOS管的漏极连接第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管的源极并连接电源电压；
第一PMOS管的栅漏短接并连接第二PMOS管的栅极和第一电流源；
第三PMOS管的栅漏短接并连接第四PMOS管的栅极和第二电流源；
第五PMOS管的栅漏短接并连接第六PMOS管的栅极和第四电流源；
第二电阻接在所述跨阻放大器的输入端和输出端之间。
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