[发明专利]一种碳化硅基复合电路板及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅基复合电路板,包括碳化硅基复合基板和印制在所述碳化硅基复合基板上的线路图，其特征在于：所述碳化硅基复合基板由以下重量份数原料制成：碳化硅50-60份、玻璃粉20-28份、填料5-10份、粘结剂3-7份、助剂7-12份。

2.如权利要求1所述的一种碳化硅基复合电路板，其特征在于：所述填料为纳米氧化钛和硅酸钙的混合物，重量比纳米氧化钛：硅酸钙为1:2-3。

3.如权利要求1所述的一种碳化硅基复合电路板，其特征在于：所述粘结剂由以下重量份数的成分制成：酚醛树脂25-30份、硅酸钠12-20份、十二烷基氨基丙酸钠5-8份、乙醇42-47份、六亚甲基四胺6-10份、硅烷偶联剂2-6份。

4.如权利要求1所述的一种碳化硅基复合电路板材料，其特征在于：所述助剂为磷酸三丁酯、氧化铝和木质素磺酸钙的混合物，重量比磷酸三丁酯：氧化铝：木质素磺酸钙为1:0.5-0.8:1-1.5。

5.如权利要求1所述的一种碳化硅基复合电路板，其特征在于：所述碳化硅基复合基板的制备方法包含以下步骤：

S1：将碳化硅、玻璃粉、填料、粘结剂、助剂混合后置于球磨机中球磨，然后进行超声处理，喷雾造粒，制得粉体；

S2：将步骤S1得到的粉体置于压机中压制成型，得到坯体；

S3：将步骤S2得到的坯体置于烧结炉中进行一次烧结、二次烧结和三次烧结，冷却至室温后进行清洗，抛光，即可。

6.如权利要求5所述的一种碳化硅基复合电路板，其特征在于：所述步骤S1中，球磨的转速为120-150r/min，时间为12-15h，超声处理1h，频率30kHz，功率500W。

7.如权利要求5所述的一种碳化硅基复合电路板，其特征在于：所述步骤S3中，一次烧结温度为500-600℃，时间为1-2h；二次烧结温度为1500-1600℃，时间为4-5h；三次烧结温度为700-800℃，时间为2-3h。

8.如权利要求1-7任意一项所述的一种碳化硅基复合电路板的制备方法，其特征在于：将线路丝网上入网印机，用金属浆将网板上的线路图案印制在所述碳化硅基复合基板上，进入烘干炉中烘干后，在除油槽内除油，然后送入还原炉中还原，出炉冷却后形成碳化硅基复合电路板。