[发明专利]检查极紫外掩模的设备和方法及制造极紫外掩模的方法

说明书

提供了在高光效率下高速检查极紫外(EUV)掩模的方法和设备，以及一种制造EUV掩模的方法，其中，在制造EUV掩模的方法中包括检查EUV掩模的方法。用于检查EUV掩模的设备包括：光源，被配置为产生并输出光；线形波带板，被配置为将来自光源的光转换成第一线形光；狭缝板，被配置为通过从第一线形光中去除高级次衍射光分量来输出第二线形光；工作台，用于在其上定位EUV掩模；以及探测器，被配置为响应于第二线形光被照射到定位在工作台上的EUV掩模上并从EUV掩模反射来检测从EUV掩模反射的光。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年6月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0074924和于2018年7月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0086813的优先权，上述韩国专利申请的公开内容都通过引用的方式整体并入本申请中。

技术领域

发明构思涉及用于检查极紫外(EUV)掩模的方法和/或设备，更具体地，涉及用于高速检查EUV掩模的方法和/或设备。

背景技术

近来，半导体电路的线宽变得越来越精细，因此，已经利用了更短波长的光源。例如，已经使用极紫外(EUV)辐射作为用于曝光的光源。由于EUV射线的吸收特性，反射式EUV掩模通常用于EUV曝光工艺中。当曝光工艺的难度增加时，EUV掩模的小误差可能导致晶片上的电路图案的明显故障。因此，可以执行用于检查在EUV掩模中是否存在缺陷的EUV掩模检查工艺。这里，缺陷可以包括存在污染物(例如，EUV掩模上的细粒)和/或在EUV掩模上形成的图案的形状或尺寸的误差。

发明内容

发明构思提供了一种在高光学效率下高速检查极紫外(EUV)掩模的方法和设备，以及一种制造EUV掩模的方法，其中，在制造EUV掩模的方法中包括检查EUV掩模的方法。

根据发明构思的一些示例实施例，提供了一种用于检查极紫外(EUV)掩模的设备，所述设备包括：光源，被配置为产生并输出光；线形波带板，被配置为将来自所述光源的光转换成第一线形光；狭缝板，被配置为通过从所述第一线形光中去除高级次衍射光分量来输出第二线形光；工作台，用于在其上定位所述EUV掩模；以及探测器，被配置为响应于所述第二线形光被照射到所述EUV掩模上并从所述EUV掩模反射来检测从定位在所述EUV掩模上的所述极紫外掩模反射的光。

根据发明构思的一些示例实施例，提供了一种用于检查极紫外(EUV)掩模的设备，所述设备包括：光源，被配置为产生并输出光；扫描镜，被配置为反射来自所述光源的光并将来自所述光源的光输出为沿第一方向移动的光；线性波带板，被配置为将来自所述扫描镜的所述光输出为沿所述第一方向延伸的第一线形光；狭缝板，被配置为通过从所述第一线形光中去除高级次衍射光分量来输出第二线形光；以及第一探测器，被配置为响应于所述第二线形光被照射到所述EUV掩模上并从所述EUV掩模反射来检测从所述EUV掩模反射的光。

根据发明构思的一些示例实施例，提供了一种检查极紫外(EUV)掩模的方法，所述方法包括：在光源中产生光并输出来自所述光源的所述光；通过线性波带板将来自所述光源的所述光输出为沿第一方向延伸的第一线形光；通过狭缝板从所述第一线形光中去除高级次衍射光分量来输出第二线形光；以及响应于所述第二线形光被照射到所述EUV掩模上并从所述EUV掩模反射，通过第一探测器检测从所述EUV掩模反射的光。

根据发明构思的一些示例实施例，提供了一种制造极紫外(EUV)掩模的方法，所述方法包括：在光源中产生光并输出来自所述光源的所述光；通过线性波带板将来自所述光源的所述光输出为沿第一方向延伸的第一线形光；通过狭缝板从所述第一线形光中去除高级次衍射光分量来输出第二线形光；响应于所述第二线形光被照射到所述EUV掩模上并从所述EUV掩模反射，通过第一探测器检测从所述EUV掩模反射的光；通过分析设备来分析检测到的光；通过所述分析设备来确定在所述EUV掩模中是否存在缺陷；以及响应于在所述EUV掩模中没有缺陷，对所述EUV掩模执行后续工艺。