[发明专利]异质结构的制备方法

权利要求书

1.一种异质结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供第一衬底，且所述第一衬底具有离子注入面；

2)自所述离子注入面对所述第一衬底进行离子注入，以在所述第一衬底中形成缺陷层；

3)提供第二衬底，且所述第二衬底具有键合面，并将所述键合面与所述离子注入面进行键合，以得到初始键合结构；以及

4)基于局部加热的方式对所述初始键合结构进行加热处理，以沿所述缺陷层剥离部分所述第一衬底，使得所述第一衬底的一部分转移至所述第二衬底上，以在所述第二衬底上形成一衬底薄膜，得到包括所述第二衬底及所述衬底薄膜的异质结构，其中，以扫描区域单元为单位进行所述局部加热，通过所述扫描区域单元的移动实现对需要进行局域加热区域的加热，在进行所述局部加热的过程中，还包括对此时未进行所述局部加热的键合结构的区域进行降温的过程，以降低所述局部加热对未加热区域的热传导，其中，未进行所述局部加热的键合结构的区域为所述扫描区域单元垂直区域以外的区域，进行降温的降温装置与所述局部加热的加热头之间的间距介于0.5cm-1.5cm之间；

进行所述加热处理的过程中包括在进行所述局部加热之后进行整体加热的步骤，其中，首先通过局部加热的工艺缩小需要加热的初始键合结构区域的尺寸，再利用整体加热工艺处理剩余未剥离的面积。

2.根据权利要求1所述的异质结构的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述局部加热包括热传导加热及辐射加热中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的异质结构的制备方法，其特征在于，步骤4)中，进行所述局部加热的方式包括扫描式加热及步进式加热中的至少一种，其中，所述局部加热的路径包括圆形路线、折线形路线以及极坐标路线中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的异质结构的制备方法，其特征在于，步骤4)中，在进行所述局部加热过程中，对每一所述扫描区域单元对应的所述初始键合结构进行所述加热处理的加热时间相同。

5.根据权利要求4所述的异质结构的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述扫描区域单元的最大尺寸介于0.5mm-10mm之间；对应每一所述扫描区域单元的所述加热时间介于1s-20s之间。

6.根据权利要求1所述的异质结构的制备方法，其特征在于，进行所述降温处理的方式包括采用热沉技术及主动降温中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的异质结构的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述第一衬底选自于硅、氧化硅、蓝宝石、锗、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓及氮化铝中的至少一种，步骤3)中，所述第二衬底选自于硅、氧化硅、蓝宝石、锗、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓及氮化铝中的至少一种，且所述第一衬底与所述第二衬底不同。

8.根据权利要求1所述的异质结构的制备方法，其特征在于，所述初始键合结构包括中心区域及位于所述中心区域外围的外部区域，其中，进行所述加热处理的步骤包括：先采用所述局部加热的方式对所述外部区域进行加热，再采用所述整体加热的方式对所述中心区域进行加热。