[发明专利]显示基板及其制造方法和显示面板有效
申请号: | 201910129570.3 | 申请日: | 2019-02-21 |
公开(公告)号: | CN109698224B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 刘威;韩影 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 面板 | ||
1.一种显示基板,所述显示基板包括显示区,所述显示区被划分为多个像素单元,所述像素单元包括发光单元和透明显示单元,所述发光单元内设置有发光元件,所述发光元件包括第一电极、发光功能层和第二电极,所述第二电极位于所述发光元件的出光侧,多个发光元件的第二电极形成为具有一体结构的第二电极层,所述显示基板还包括位于所述发光单元内的辅助电极,且所述辅助电极位于所述发光元件背离出光侧的一侧,所述辅助电极由金属材料制成,其特征在于,所述显示基板还包括多个由透明导电材料制成的辅助连接件,所述辅助连接件的一部分位于所述发光单元内,所述辅助连接件的另一部分位于所述透明显示单元内,所述辅助电极与所述辅助连接件位于所述发光单元内的部分电连接,所述第二电极层与所述辅助连接件位于透明显示单元内的部分电连接;
所述辅助连接件由透明的半导体材料导体化形成。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述发光单元内还设置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置在所述发光元件背离出光侧的一侧,所述薄膜晶体管包括源漏电极层和栅极层,所述薄膜晶体管具有顶栅结构,所述辅助电极与所述源漏电极层同层设置。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述辅助连接件与所述薄膜晶体管的有源层同层设置,并由于所述有源层相同的半导体材料导体化后形成,所述显示基板包括覆盖所述透明显示单元以及所述像素单元的层间绝缘层和钝化层,所述层间绝缘层设置覆盖所述栅极层,以将所述源漏电极层与所述栅极层绝缘间隔,所述钝化层覆盖所述源漏电极层,所述第二电极层通过位于所述透明显示单元内的辅助连接过孔与所述辅助连接件电连接,且所述辅助连接过孔贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括衬底基板、形成在所述衬底基板上的遮光层和覆盖所述遮光层以及所述衬底基板上未设置所述遮光层的部分的缓冲层,所述薄膜晶体管设置在所述缓冲层上,所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层的范围内。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的源漏电极层包括源极和漏极,所述漏极通过缓冲连接过孔与所述遮光层电连接。
6.一种显示面板,所述显示面板包括显示基板,其特征在于,所述显示基板为权利要求1至5中任意一项所述的显示基板。
7.一种显示基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
提供衬底基板,所述衬底基板被划分为多个像素单元,所述像素单元包括发光单元和透明显示单元;
形成辅助电极和多个辅助连接件,所述辅助连接件由透明导电材料制成,且所述辅助连接件的一部分位于所述发光单元内,所述辅助连接件的另一部分位于所述透明显示单元内,所述辅助电极位于所述发光单元内,且所述辅助电极与所述辅助连接件位于发光单元内的部分电连接;
在所述发光单元内形成发光元件,所述发光元件包括第一电极、发光功能层和第二电极,多个发光元件的第二电极形成为具有一体结构的第二电极层,且所述第二电极与所述辅助电极层电连接;
形成辅助连接件的步骤包括:
与形成包括有源层的图形的步骤同步进行的形成初始辅助连接件的步骤;以及
对所述初始辅助连接件进行导体化以获得所述辅助连接件的步骤。
8.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于,所述制造方法还包括在所述发光单元内形成发光元件的步骤之前进行的在发光单元内形成薄膜晶体管的步骤,包括:
形成包括有源层的图形;
形成栅绝缘层;
形成包括栅极层的图形;
形成层间绝缘层;
形成包括源漏层的图形;
形成钝化层,其中,
形成辅助电极的步骤与形成包括栅极层的图形的步骤同步进行,或者,形成辅助电极的步骤与形成包括源漏层的图形的步骤同步进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的