[发明专利]发光元件及其制造方法

说明书

本发明公开一种发光元件及其制造方法。发光元件包含一第一半导体层；以及一透明导电氧化层，其包含一具有一第一金属材料的扩散区域及一不具有第一金属材料的非扩散区域，其中非扩散区域比扩散区域更靠近第一半导体层。

本申请是中国发明专利申请(申请号：201310534180.7，申请日：2013年11月01日，发明名称：发光元件及其制造方法)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一发光元件及其制造方法，尤其是涉及一具有一扩散区域及一非扩散区域的一透明导电氧化层的发光元件及其制造方法。

背景技术

发光二极管(LED)是一种固态半导体元件，发光二极管(LED)的结构包含一p型半导体层、一n型半导体层与一发光层，其中发光层形成于p型半导体层与n型半导体层之间。LED的结构包含由Ⅲ-Ⅴ族元素组成的化合物半导体，例如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)，其发光原理是在一外加电场作用下，利用n型半导体层所提供的电子与p型半导体层所提供的空穴在发光层的p-n接面附近复合，将电能转换成光能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光元件，其具有较低的顺向电压，较低的片阻值，及较高的光取出效率等。

为达上述目的，本发明提供一种发光元件，包含：第一半导体层；以及透明导电氧化层，包含具有第一金属材料的扩散区域以及不包含该第一金属材料的非扩散区域，其中该非扩散区域比该扩散区域更靠近该第一半导体层。

在该扩散区域中的该第一金属材料的浓度于朝向该第一半导体层的方向上逐步递减。

该第一金属材料包含一元素，选自于IIA族元素及IIIA族元素所构成的群组。

所述发光元件还包含第一金属材料氧化物，形成于该透明导电氧化层中。

该透明导电氧化层包含不同于该第一金属材料的第二金属材料。

所述的发光元件还包含第二半导体层，主动层形成于该第一半导体层及该第二半导体层之间，以及金属层形成于该透明导电氧化层上，其中该金属层对于该主动层所发出的一光线是透明。

该金属层为一不连续层，及/或该金属层的厚度小于

所述的发光元件还包含电极结构，具有一布局或一形状，且电连接至该第一半导体层及该第二半导体层。

该金属层包含一图案，对应于该电极结构的该布局或该形状。

该电极结构在该透明导电氧化层上包含具有较高电流密度的第一区域及具有较低电流密度的第二区域，其中该金属层的该图案于该第二区域较密集，于该第一区域较稀疏。

附图说明

图1A-1C是本发明一实施例的一发光元件的制造方法；

图1D是本发明另一实施例的一发光元件的剖视图；

图2是本发明一实施例的一发光元件的制造方法的一步骤；

图3A-3C是本发明一实施例的一发光元件的制造方法的步骤；

图4是本发明一实施例的一发光元件的放大剖视图；

图5是本发明一实施例的一发光元件的示意图。

符号说明

发光元件 1、2、400

基板 10、43

半导体叠层 20、40

第一半导体层 13、33

第二半导体层 11

主动(有源)层 12