[发明专利]OLED显示基板、OLED显示基板的制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910129702.2 | 申请日: | 2019-02-21 |
公开(公告)号: | CN109817690B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 康亮亮;刘晓云;李晓虎;刘暾;焦志强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种OLED显示基板,其具有显示面和与所述显示面相对的非显示面;其特征在于,所述OLED显示基板包括:
基底;
设置所述基底上的多个OLED器件;所述OLED器件包括:透明的第一电极、发光层、透明的第二电极;
多个光选择图案,所述光选择图案与所述OLED器件一一对应,设置于所述OLED器件靠近所述非显示面的一侧;
每个所述光选择图案允许通过的光的波段范围与其所对应的OLED器件发出的光的波段范围相同;
所述OLED显示基板还包括:设置于所述第一电极所在层与所述第二电极所在层之间的像素限定层,所述像素限定层包括多个容纳部,每个所述容纳部裸露出一个所述OLED器件的第一电极,所述OLED器件的发光层设置于所述容纳部中;
所述光选择图案在所述基底上的正投影覆盖其所对应的容纳部在所述基底上的正投影;
所述容纳部靠近所述光选择图案侧的开口的任意一侧边与其所对应的光选择图案的侧边所形成的共面,与所述光选择图案所在平面的夹角小于30°;
所述光选择图案包括彩色滤光片。
2.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,还包括:半透半反结构,其设置于所述光选择图案背离所述OLED器件的一侧;
所述半透半反结构对由靠近所述光选择图案侧射入的光线的反射率大于对由靠近所述光选择图案侧向射入的光线的透过率;
由背离所述光选择图案侧射入所述半透半反结构的至少部分光线能够穿过所述半透半反结构。
3.根据权利要求2所述的OLED显示基板,其特征在于,所述半透半反结构包括:沿靠近所述光选择图案的方向依次设置的纳米结构层和平坦反射层。
4.一种OLED显示基板的制备方法,所述OLED显示基板具有显示面和与所述显示面相对的非显示面;其特征在于,所述制备方法包括:
在基底上形成多个光选择图案和多个OLED器件的步骤;
其中,所述OLED器件包括:透明的第一电极、发光层、透明的第二电极;
所述光选择图案设置于所述OLED器件的非显示面侧,且与所述OLED器件一一对应;每个所述光选择图案允许通过的光的波段范围与其所对应的OLED器件发出的光的波段范围相同。
5.根据权利要求4所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述光选择图案背离所述OLED器件的一侧形成半透半反结构的步骤;
所述半透半反结构对由靠近所述光选择图案侧射入的光线的反射率大于对由靠近所述光选择图案侧向射入的光线的透过率;
由背离所述光选择图案侧射入所述半透半反结构的至少部分光线能够穿过所述半透半反结构。
6.根据权利要求5所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,所述半透半反结构包括沿靠近所述光选择图案依次设置的平坦反射层和纳米结构层;
形成所述平坦反射层的步骤包括:通过溅射工艺或者蒸镀工艺在基底上形成平坦反射层;
形成所述纳米结构层的步骤包括:通过喷墨打印或者涂布工艺在所述基底上形成纳米材料层;对所述纳米材料层进行干燥,以形成纳米结构层。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至3中任意一项所述的OLED显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的