[发明专利]碳化硅半导体器件和用于制造碳化硅半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，具有：

用碳化硅形成的半导体本体（100），所述半导体本体具有源区（110）、电流分布区（137）和体区（120），其中所述体区（120）沿着水平的第一方向（191）布置在所述源区（110）和所述电流分布区（137）之间并且与所述电流分布区（137）构成第一pn结（pn1）并且与所述源区（110）构成第二pn结（pn2）;

栅极结构（150），其从半导体本体（100）的第一表面（101）延伸到所述体区（120）中;和

在所述体区（120）和半导体本体（100）的与第一表面（101）相对的第二表面（102）之间的电荷补偿结构（180）。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还具有：

多个栅极结构（150），其沿着与第一方向（191）正交的水平第二方向（192）布置并延伸到所述体区（120）中。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述电荷补偿结构（180）具有第一导电类型的第一补偿区（181）和与第一导电类型相反的第二导电类型的第二补偿区（182）。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中第一补偿区（181）邻接于所述电流分布区（137），并且第二补偿区（182）邻接于所述体区（120）。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述电荷补偿结构（180）的垂直范围（v4）至少与所述栅极结构（150）的垂直范围（v1）一样大。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中第一和第二补偿区（181、182）在小于所述半导体器件（500）的标称反向电压的第一反向电压的情况下能够被移动载流子完全耗尽。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中在第一和第二补偿区（181、182）中，掺杂物浓度沿平行于第一表面（101）的线的线积分小于碳化硅的击穿电荷。

8.根据权利要求3所述的半导体器件，其中在电荷补偿结构（180）的垂直范围（v4）的中间三分之一中沿着至少一个平行于第一表面（101）的线，相邻的第一和第二补偿区（181、182）的掺杂完全补偿。

9.根据权利要求3所述的半导体器件，其中第一和第二补偿区（181、182）的水平纵向轴线平行于第二方向（192）延伸。

10.根据权利要求3所述的半导体器件，其中第一和第二补偿区（181、182）的水平纵向轴线平行于第一方向（191）延伸。

11.根据权利要求3所述的半导体器件，其中相邻的第二补偿区（182）之间的中心到中心的距离（pt2）比相邻的体区（120）之间的中心到中心的距离（pt1）大至少50％。

12.根据权利要求3所述的半导体器件，其中相邻的第二补偿区（182）之间的中心到中心的距离（pt2）等于相邻的体区（120）之间的中心到中心的距离（pt1）。

13.根据权利要求3所述的半导体器件，其中在第一补偿区（181）和第二补偿区（182）之间构造有一个区域（183），在所述区域中掺杂物浓度为第一补偿区（181）中掺杂物浓度的至多10％。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中第一补偿区（181）的横向宽度（w11）和/或第二补偿区（182）的横向宽度（w12）随着到第一表面（101）的距离的增加而连续增加。

15.根据权利要求3所述的半导体器件，还具有：

从第一表面（101）延伸到所述源区（110）中的接触结构（315）。