[发明专利]硅晶向鉴别仪有效
| 申请号： | 201910129809.7 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN109827961B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 王振宇;乔治;蔡一博;高文强;沈世华;焦新兵 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01N21/21;G01N21/47 |
| 代理公司： | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人： | 沈国良 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 鉴别 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅晶向鉴别仪，其特征在于：本鉴别仪包括沿光束方向依次设置的激光发射器、透镜、检测单元、分束单元以及光强探测器和偏振探测器，所述激光发射器发射的激光通过所述透镜聚焦后照射至所述检测单元，检测单元形成反射光输出至所述分束单元，分束单元输出两路光束并且分别被所述光强探测器和偏振探测器接收，所述光强探测器测出经检测单元后反射激光的光强和光斑的位移，所述偏振探测器测出经检测 单元后反射激光的偏振和光斑的位移，所述检测单元包括表面涂覆二氧化硅薄膜的硅板、以及分别设于硅板表面的二氧化硅薄膜一侧和硅板背面另一侧的正负电极，所述正负电极包括层叠的铜片和石墨片并且石墨片分别连接所述硅板背面和二氧化硅薄膜，所述正负电极分别连接直流电源的正负端。
2.根据权利要求1所述的硅晶向鉴别仪，其特征在于：所述石墨片的厚度为10nm～5mm，所述二氧化硅薄膜由磁控溅射法制备，其厚度为1～100nm。
3.根据权利要求1或2所述的硅晶向鉴别仪，其特征在于：所述检测单元的激光入射角度为0～90°，入射光与反射光的夹角为0～180°。
4.根据权利要求3所述的硅晶向鉴别仪，其特征在于：所述激光发射器为小功率半导体激光发射器，其输出激光波长为200～1800nm。
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