[发明专利]一种表面等离子体吸收增强的铟锡氧化物薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910129844.9 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN109735805A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 黄建兵;黄建明;杨敏 | 申请（专利权）人： | 苏州领锐源奕光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/24;C23C14/58 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铟锡氧化物薄膜 表面等离子体 制备 烘烤 吸收 等离子体吸收 辐照时间控制 纳米光电子学 离子束辐照 薄膜表面 镀膜夹具 光电子学 离子束流 生长取向 石英基片 真空条件 附着性 均匀性 热稳定 镀膜 改性 沉积 轰击 应用 表现 | ||
1.一种表面等离子体吸收增强铟锡氧化物薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一、膜料的选择：采用质量百分比例为90：10的氧化铟和氧化锡混合物作为膜料；
步骤二、基片的准备：将基片清洗干净后，放置于真空蒸发设备中的镀膜夹具上；
步骤三、铟锡氧化物薄膜的形成：在真空蒸发设备中，沉积膜料到基片上，得到铟锡氧化物薄膜；
步骤四、表面等离子体吸收增强铟锡氧化物薄膜的形成：在真空蒸发设备中，采用等离子体束流的离子束辐照铟锡氧化物薄膜的表面，进行轰击得到表面等离子体吸收增强铟锡氧化物薄膜。
2.根据权利要求1所述的表面等离子体吸收增强铟锡氧化物薄膜的制备方法，其特征在于：步骤二中，所述基片的清洗方式为：依次采用丙酮、酒精、去离子水对所述基片分别超声波清洗10min。
3.根据权利要求1所述的表面等离子体吸收增强铟锡氧化物薄膜的制备方法，其特征在于：步骤三中，采用物理气相沉积法得到铟锡氧化物薄膜。
4.根据权利要求1所述的表面等离子体吸收增强铟锡氧化物薄膜的制备方法，其特征在于：步骤三中，在所述真空蒸发设备中，真空度为5×10-4 Pa，烘烤温度为100-200℃，薄膜的沉积速率为0.1-0.3nm/ s。
5.根据权利要求1所述的表面等离子体吸收增强铟锡氧化物薄膜的制备方法，其特征在于：步骤四中，所述真空蒸发设备中，真空度为5×10-4 Pa，采用15mA的等离子体束流大小为，进行5-30min的轰击得到表面等离子体吸收增强铟锡氧化物薄膜。
6.根据权利要求1所述的表面等离子体吸收增强铟锡氧化物薄膜的制备方法，其特征在于：所述基片为石英基片。
7.根据权利要求1所述的表面等离子体吸收增强铟锡氧化物薄膜的制备方法，其特征在于：所述表面等离子体吸收增强为在可见或近红外区域。
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