[发明专利]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 201910129993.5 | 申请日: | 2019-02-21 |
公开(公告)号: | CN109698225B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 袁粲;李永谦;李蒙;袁志东 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括呈阵列排布的多个像素单元以及与所述像素单元连接的数据线和扫描信号线,每个像素单元包括多个子像素;
其中,同一列像素单元中的所有子像素与同一根数据线连接,每列像素单元分别与两根扫描信号线连接,且任意相邻的两列像素单元共用其中一根扫描信号线;
其中,所述显示面板还包括与所述子像素连接的栅线组;
每行像素单元分别与两个栅线组连接,且任意相邻的两行像素单元共同其中一个栅线组,所述栅线组包括第一栅线和第二栅线;
其中,所述显示面板包括M×N个像素单元,每个像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;
第n行第m列像素单元中的第一子像素分别与第n行的第一栅线、第n行的第二栅线、第m列的扫描信号线以及第m列的数据线连接;
第n行第m列像素单元中的第二子像素分别与第n+1行的第一栅线、第n+1行的第二栅线、第m+1列的扫描信号线以及第m列的数据线连接;
第n行第m列像素单元中的第三子像素分别与第n行的第一栅线、第n+1行的第二栅线、第m列的扫描信号线以及第m列的数据线连接;
其中,M表示列方向上的像素单元数量,N表示行方向上的像素单元数量,1≤n≤N,1≤m≤M,且M和N均为大于1的正整数。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,每个子像素均包括发光器件和用于驱动所述发光器件进行发光的像素驱动电路,所述像素驱动电路均包括第一晶体管、第二晶体管、驱动晶体管和存储电容;
其中,针对第n行第m列像素单元中的第一子像素,所述第一晶体管的栅极与第n行的第一栅线连接,所述第一晶体管的源极与第m列的扫描信号线连接;所述第二晶体管的栅极与第n行的第二栅线连接,所述第二晶体管的源极与第m列的数据线连接;
针对第n行第m列像素单元中的第二子像素,所述第一晶体管的栅极与第n+1行的第一栅线连接,所述第一晶体管的源极与第m+1列的扫描信号线连接;所述第二晶体管的栅极与第n+1行的第二栅线连接,所述第二晶体管的源极与第m列的数据线连接;
针对第n行第m列像素单元中的第三子像素,所述第一晶体管的栅极与第n+1行的第二栅线连接,所述第一晶体管的源极与第m列的扫描信号线连接;所述第二晶体管的栅极与第n行的第一栅线连接,所述第二晶体管的源极与第m列的数据线连接;
针对任意子像素,所述第一晶体管的漏极与所述存储电容的第一端连接;所述第二晶体管的漏极与所述存储电容的第二端连接;所述驱动晶体管的栅极与所述第二晶体管的漏极连接,所述驱动晶体管的源极与所述发光器件的阳极连接,所述驱动晶体管的漏极与第一电压端连接,所述存储电容的第一端还与所述发光器件的阳极连接,所述发光器件的阴极与第二电压端连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述驱动晶体管均为N型晶体管。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,第n行像素单元中的第一子像素与第n+1行像素单元中的第二子像素发出的光的颜色相同,且第n行像素单元中的第二子像素与第n+1行像素单元中的第一子像素发出的光的颜色相同。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,每个像素单元中的第三子像素发出的光的颜色均相同。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,每个像素单元中的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素发出的光的颜色均不同。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6中任一项所述的显示面板。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,还包括源极驱动芯片,所述源极驱动芯片分别与显示面板中的数据线和扫描信号线连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的