[发明专利]一种AMOLED显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种AMOLED显示装置，包括TFT阵列基板；其特征在于，所述TFT阵列基板包括沿出光方向依次设置的色阻层、信号线、平坦层与含铬遮光层，所述平坦层覆盖所述色阻层和所述信号线；所述含铬遮光层设置在所述平坦层上且与所述信号线相对设置，且所述信号线通过通孔电性连接到所述含铬遮光层；所述含铬遮光层用于吸收环境光中入射到所述信号线上方处的入射光线，以及反射到所述信号线处的反射光线。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号线的宽度小于所述含铬遮光层的宽度。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述含铬遮光层的厚度为100～150nm。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述TFT阵列基板的沿出光方向远离所述含铬遮光层的一侧贴附有一层折射膜。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述折射膜采用具有增大光线折射角度的树脂材料制成。

6.一种AMOLED显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)制作TFT阵列基板的色阻层和信号线，沉积平坦层以覆盖所述色阻层和所述信号线，并在所述信号线的沿出光方向远离所述信号线的一侧通过打孔工艺在所述平坦层上开设通孔；

(2)通过沉积光刻方式在所述平坦层上对应所述信号线的开设有所述通孔的一侧制作含铬遮光层，所述含铬遮光层与所述信号线相对设置，且所述信号线与所述含铬遮光层通过所述通孔电性连接；所述含铬遮光层用于吸收环境光中入射到所述信号线上方处的入射光线，以及反射到所述信号线处的反射光线。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述信号线的宽度小于所述含铬遮光层的宽度。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述含铬遮光层的厚度为100～150nm。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：(3)在所述TFT阵列基板的沿出光方向远离所述含铬遮光层的一侧贴附一层折射膜。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述折射膜采用具有增大光线折射角度的树脂材料制成。