[发明专利]制造具有含有多个沟槽的结构图案的半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成基底层；

在所述基底层上形成结构层，所述结构层包括至少一个材料层；以及

在所述基底层上形成结构图案，所述结构图案包括在第一方向上延伸的第一沟槽和在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸并具有交叉部分的第二沟槽，所述第二沟槽连接到所述第一沟槽，所述结构图案还包括基底图案，该基底图案具有在所述第二沟槽的所述交叉部分处从所述基底层的表面向下凹陷的凹陷部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述凹陷部分是至少部分地穿过所述基底层的穿过部分。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中所述基底层包括多晶硅层，并且

其中所述结构层是堆叠结构层，并且所述至少一个材料层包括交替地堆叠的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层具有彼此不同的蚀刻速率。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中所述基底层包括多晶硅层，并且

其中所述结构层包括包含至少一个绝缘层的绝缘结构层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述结构图案和所述基底图案时，所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述凹陷部分通过图案化所述结构层和所述基底层被同时形成。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中所述第一沟槽的底表面形成在与所述第二沟槽的底表面相同的水平处，

其中所述凹陷部分的底表面形成在比所述第一沟槽和所述第二沟槽的底表面的水平低的水平处。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构图案包括在所述第一方向上延伸的第一结构图案和在所述第一方向上通过所述第二沟槽彼此间隔开的多个第二结构图案。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

在包括下布线层的下布线结构上形成基底层；

在所述基底层上形成结构层，该结构层包括至少一个绝缘层；

形成包括第一沟槽、第二沟槽和基底图案的结构图案，所述第一沟槽在所述下布线结构上在第一方向上延伸，所述第二沟槽在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸并具有连接到所述第一沟槽的交叉部分，所述基底图案具有在所述交叉部分处至少部分地穿过所述基底层的穿过部分；以及

形成包括接触插塞和上布线层的上布线结构，所述接触插塞通过所述穿过部分连接到所述下布线层，并且所述上布线层掩埋在所述第一沟槽中并且连接到所述接触插塞。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述基底层包括多晶硅层，并且所述结构层包括绝缘结构层。

10.根据权利要求8所述的方法，其中形成包括所述基底图案的所述结构图案包括：通过图案化所述结构层和所述基底层，同时形成所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述穿过部分。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一沟槽的底表面在与所述第二沟槽的底表面相同的水平处。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述结构图案包括：

第一结构图案，在所述第一方向上延伸；和

多个第二结构图案，分别在所述第一方向和所述第二方向上通过所述第一沟槽和所述第二沟槽彼此分隔。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述上布线结构的形成中，同时形成所述接触插塞和所述上布线层。

14.根据权利要求8所述的方法，

其中所述结构图案包括多个第二沟槽，

其中所述多个第二沟槽包括在所述第一方向上连接到所述第一沟槽的多个交叉部分，

其中多个穿过部分形成在所述多个交叉部分处。