[发明专利]一种单晶硅的腐蚀溶液

说明书

本发明公开了一种单晶硅的腐蚀溶液，所述将硅片放置于70‑90°C的腐蚀溶液中，所述腐蚀溶液是由氢氧化钠溶液、碳酸钠溶液、碳酸钾溶液、1，3,5‑环已烷三醇溶液组成，其配方按质量百分比为：20‑35%氢氧化钠溶液、25‑35%碳酸钠溶液、15‑45%碳酸钾溶液、5‑20%1，3,5‑环已烷三醇溶液。本发明揭示了一种单晶硅的腐蚀溶液，单晶硅的腐蚀液适用于腐蚀单晶硅或二氧化硅衬底上的单晶硅和多晶硅层，该腐蚀液的腐蚀速率快，可减少处理过程中的毒性。

技术领域

本发明属于化工领域，具体涉及一种单晶硅的腐蚀溶液。

背景技术

单晶硅的腐蚀液需要用于腐蚀单晶硅或二氧化硅衬底上的单晶硅和多晶硅层，对腐蚀液的腐蚀性能要求比较高。因此，急需开发一款腐蚀速率快的单晶硅的腐蚀液。

发明内容

发明目的：本发明的目的是为了解决现有技术中的不足，提供一种单晶硅的腐蚀溶液，解决上述问题。

技术方案：本发明所述的一种单晶硅的腐蚀溶液，所述将硅片放置于70-90°C的腐蚀溶液中，所述腐蚀溶液是由氢氧化钠溶液、碳酸钠溶液、碳酸钾溶液、1，3,5-环已烷三醇溶液组成，其配方按质量百分比为：20-35%氢氧化钠溶液、25-35%碳酸钠溶液、15-45%碳酸钾溶液、5-20%1，3,5-环已烷三醇溶液。

进一步的，所述氢氧化钠溶液的重量百分比为2-5%，碳酸钠溶液的重量百分比为1-3%，碳酸钾溶液的重量百分比为1-3%，1，3,5-环已烷三醇溶液的重量百分比为6-10%。

优选的，所述腐蚀溶液配方按质量百分比为：20%氢氧化钠溶液、25%碳酸钠溶液、15%碳酸钾溶液、5%1，3,5-环已烷三醇溶液，其中，所述氢氧化钠溶液的重量百分比为2%，碳酸钠溶液的重量百分比为1%，碳酸钾溶液的重量百分比为1%，1，3,5-环已烷三醇溶液的重量百分比为6%。

优选的，所述腐蚀溶液配方按质量百分比为：28%氢氧化钠溶液、30%碳酸钠溶液、25%碳酸钾溶液、12%1，3,5-环已烷三醇溶液，其中，所述氢氧化钠溶液的重量百分比为4%，碳酸钠溶液的重量百分比为2%，碳酸钾溶液的重量百分比为2%，1，3,5-环已烷三醇溶液的重量百分比为8%。

优选的，所述腐蚀溶液配方按质量百分比为：35%氢氧化钠溶液、35%碳酸钠溶液、45%碳酸钾溶液、20%1，3,5-环已烷三醇溶液，其中，所述氢氧化钠溶液的重量百分比为5%，碳酸钠溶液的重量百分比为3%，碳酸钾溶液的重量百分比为3%，1，3,5-环已烷三醇溶液的重量百分比为10%。

有益效果：本发明的单晶硅的腐蚀液适用于腐蚀单晶硅或二氧化硅衬底上的单晶硅和多晶硅层，该腐蚀液的腐蚀速率快，可减少处理过程中的毒性。

具体实施方式

实例一

一种单晶硅的腐蚀溶液，所述将硅片放置于70-90°C的腐蚀溶液中，所述腐蚀溶液是由氢氧化钠溶液、碳酸钠溶液、碳酸钾溶液、1，3,5-环已烷三醇溶液组成，所述腐蚀溶液配方按质量百分比为：20%氢氧化钠溶液、25%碳酸钠溶液、15%碳酸钾溶液、5%1，3,5-环已烷三醇溶液，其中，所述氢氧化钠溶液的重量百分比为2%，碳酸钠溶液的重量百分比为1%，碳酸钾溶液的重量百分比为1%，1，3,5-环已烷三醇溶液的重量百分比为6%。

实例二

一种单晶硅的腐蚀溶液，所述将硅片放置于70-90°C的腐蚀溶液中，所述腐蚀溶液是由氢氧化钠溶液、碳酸钠溶液、碳酸钾溶液、1，3,5-环已烷三醇溶液组成，所述腐蚀溶液配方按质量百分比为：28%氢氧化钠溶液、30%碳酸钠溶液、25%碳酸钾溶液、12%1，3,5-环已烷三醇溶液，其中，所述氢氧化钠溶液的重量百分比为4%，碳酸钠溶液的重量百分比为2%，碳酸钾溶液的重量百分比为2%，1，3,5-环已烷三醇溶液的重量百分比为8%。

实例三