[发明专利]一种叠状电容制作方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201910131306.3 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109860147B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 黄文涛;王智勇;林伟铭;黄宏达 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 制作方法 半导体器件 | ||
1.一种叠状电容制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在底层金属层上制作第一介电层；
在第一介电层进行开第一通孔；
在第一通孔和第一介电层上制作中间具有间隔槽的中间层金属；
在间隔槽和中间层金属上制作第二介电层；
在第二介电层开设第二通孔，第二通孔置于第一通孔上方；
在第二介电层和第二通孔内制作顶层金属，顶层金属与底层金属层在第一通孔处连接；
在第二介电层上制作在间隔槽上方具有下凹槽的顶层金属，顶层金属是空气桥结构，第二通孔上形成空气桥结构的桥墩，桥墩与底层金属层在第一通孔处连接，所述空气桥结构紧贴所述第二介电层，所述空气桥结构的顶层金属与中间层金属构成一个电容。
2.根据权利要求1所述的一种叠状电容制作方法，其特征在于：所述底层金属设置在砷化镓外延片上。
3.根据权利要求2所述的一种叠状电容制作方法，其特征在于：所述底层金属为源极金属。
4.根据权利要求1所述的一种叠状电容制作方法，其特征在于：还包括底层金属层制作步骤：
在制作源极金属和漏极金属的同时制作底层金属层。
5.一种具有叠状电容的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件由权利要求1到4任意一项所述的一种叠状电容制作方法制得。
6.一种具有叠状电容的半导体器件，其特征在于，包括底层金属层，底层金属层上设置有第一介电层，第一介电层设置有第一通孔，在第一通孔和第一介电层上设置有中间层金属，第一通孔上的中间层金属与第一介电层上的中间层金属之间设置有间隔槽；间隔槽和中间层金属上设置有第二介电层；第二介电层设置有第二通孔，第二通孔置于第一通孔上方，第二介电层和第二通孔内设置有顶层金属，顶层金属与底层金属层在第一通孔处连接；顶层金属在间隔槽上方具有下凹槽，顶层金属是空气桥结构，第二通孔上形成空气桥结构的桥墩，桥墩与底层金属层在第一通孔处连接，所述空气桥结构紧贴所述第二介电层，所述空气桥结构的顶层金属与中间层金属构成一个电容。
7.根据权利要求6所述的一种具有叠状电容的半导体器件，其特征在于：所述底层金属设置在砷化镓外延片上。
8.根据权利要求7所述的一种具有叠状电容的半导体器件，其特征在于：所述底层金属为源极金属。
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