[发明专利]一种SiC MOSFET开环主动驱动电路

权利要求书

1.一种 SiC MOSFET 开环主动驱动电路，包括驱动电路、SiC MOSFET 和外接电源，其特征在于，还包括辅助电路，所述辅助电路包括di/dt检测电路和分流电路，辅助电路电源由驱动电路提供；

所述di/dt检测电路用于判断SiC MOSFET 的开通和关断阶段，并将

判断得到的信号传输至分流电路；

所述分流电路通过di/dt检测电路的信号对 SiC MOSFET 的栅极电流进行分流；

所述分流电路包括上桥臂和下桥臂，所述上桥臂包括第一开关管 Q₁

和第一电阻 R_x1，所述下桥臂包括第二开关管 Q₂和第二电阻 R_x2；

所述di/dt检测电路包括第一比较器 U₁和第二比较器 U₂；

所述第一比较器 U₁和第二比较器 U₂均包括+输入端、-输入端和输出端；

所述第一比较器U₁的+输入端预先设置比较电压+V_ON,所述第二比较器 U₂的+输入端预先设置比较电压-V_ON；

当di/dt检测电路检测到SiC MOSFET 源极电感的感应电压高于第一比较器 U₁的比较电压+V_ON时，第一比较器 U₁的输出端输出低电平并控制第一开关管 Q₁导通；

当di/dt检测电路检测到SiC MOSFET 源极电感的感应电压低于第二比较器 U₂的比较电压-V_ON时，第二比较器 U₂的输出端输出高电平并控

制第二开关管 Q₂导通；第一开关管 Q₁的第一端连接分流电路的电源V_cc，第二端连接第一电阻 R_x1的第一端，第一电阻 R_x1的第二端连接第二电阻R_x2的第一端，第二电阻 R_x2的第二端连接第二开关管 Q₂的第一端，第二开关管 Q₂的第二端连接分流电路的电源V_ee；

所述第一电阻 R_x1的第二端还与SiC MOSFET 栅极连接；

第一比较器 U₁的- 输入端和第二比较器 U₂的- 输入端均与SiC MOSFET 的主源极连接；

第一比较器 U₁的输出端与第一开关管 Q₁的第三端连接；

第二比较器 U₂的输出端与第二开关管 Q₂的第三端连接。

2.根据权利要求 1 所述的 SiC MOSFET 开环主动驱动电路，其特征在于，所述第一开关管 Q₁为 PMOS 管，所述第二开关管 Q₂为 NMOS 管。