[发明专利]阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201910131952.X | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109887967A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李迁 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减反层 金属走线 阵列基板 衬底 反射光线 上窄下宽 凸起部 照射光 制备 背离 覆盖 吸收 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上设置有金属走线；
第一减反层，设置于所述金属走线上；以及
第二减反层，设置于所述第一减反层上；其中，
所述第一减反层和所述第二减反层均覆盖所述金属走线，所述第一减反层背离所述衬底的一侧表面具有多个上窄下宽的第一凸起。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一减反层为多个连续排列的金字塔结构。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相邻所述第一凸起的顶点之间的距离小于400纳米，所述第一凸起的高度为200～400纳米。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二减反层对应设置于所述金属走线的上方，所述第二减反层背离所述衬底一侧的表面具有多个上窄下宽的第二凸起。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极设置于所述金属走线上。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二减反层与所述像素电极位于同一膜层上。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二减反层的材料为氧化铟锡或氧化锌。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一减反层的材料为硅。
9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S10，提供一形成有金属走线的衬底；
步骤S20，在所述金属走线上方形成第一减反层，所述第一减反层覆盖所述金属走线，所述第一减反层背离所述衬底的一侧表面形成有多个上窄下宽的第一凸起；
步骤S30，在所述第一减反层上形成第二减反层的同时形成像素电极，所述第二减反层覆盖所述金属走线。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S20之前还包括：在所述金属走线上形成钝化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
