[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和计算机可读取的存储介质在审
申请号: | 201910132158.7 | 申请日: | 2019-02-22 |
公开(公告)号: | CN110197800A | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 冈村元洋 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 配管 内管 基片处理装置 液体供给部 基片处理 碱性药液 酸性药液 废气 排气切换装置 有效地清洗 附着物 存储介质 供给液体 控制排气 控制装置 切换装置 可读取 排气管 外部 地排 附着 排出 清洗 计算机 | ||
1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:
排气管,其构成为能够将因基片处理而产生的废气有选择地排出到作为外部配管的第一配管或者第二配管的任一者;
液体供给部,其从外部对所述排气管供给用于清洗的液体;
排出目的地设定部,其通过使所述排气管旋转,将所述废气的排出目的地设定为所述第一配管或者所述第二配管的任一者;和
控制部,
所述控制部构成能够为执行:
控制所述排出目的地设定部以使所述排气管旋转的操作;和
控制所述液体供给部以对旋转的所述排气管供给所述液体的操作。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于,还包括:
保持所述基片并使其旋转的旋转保持部,
所述控制部控制所述排出目的地设定部,以在所述基片旋转的期间使所述排气管旋转。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于,还包括:
保持所述基片并使其旋转的旋转保持部,
所述旋转保持部在使所述基片在第一方向旋转后,使所述基片在与该第一方向相反的方向即第二方向旋转,
所述控制部控制所述排出目的地设定部,使得在所述基片的旋转方向从所述第一方向切换为所述第二方向时的所述基片的停止时段中,使所述排气管旋转。
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述液体供给部排出作为所述液体的稀氟酸和冲洗液的至少任一者。
5.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述液体供给部包括供给所述稀氟酸的第一供给部和供给所述冲洗液的第二供给部,
所述控制部在控制所述第一供给部以使得对旋转的所述排气管供给所述稀氟酸后,控制所述第二供给部以使得对所述排气管供给所述冲洗液。
6.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述排气管形成为圆筒状,在其侧面在轴向彼此不同的区域具有与所述第一配管相连的第一区域和与所述第二配管相连的第二区域,
在所述第一区域的一部分形成有以所述排气管的内部与所述第一配管连通的方式贯通所述侧面的第一贯通区域,
在所述第二区域的一部分形成有以所述排气管的内部与所述第二配管连通的方式贯通所述侧面的第二贯通区域,
所述第一贯通区域和所述第二贯通区域形成于所述排气管的周向上彼此不同的区域。
7.一种基片处理方法,其特征在于,包括:
通过使排气管旋转,将废气的排出目的地设定为作为所述外部配管的第一配管或者第二配管的任一者的工序,其中所述排气管用于将因基片处理而产生的所述废气排出到外部配管;和
对旋转的所述排气管排出液体,清洗所述排气管的工序。
8.如权利要求7所述的基片处理方法,其特征在于:
在利用保持所述基片并使其旋转的旋转保持部来旋转所述基片时,使所述排气管旋转。
9.如权利要求7或8所述的基片处理方法,其特征在于:
在利用保持所述基片并使其旋转的旋转保持部来切换所述基片的旋转方向时的所述基片的停止时段中,使所述排气管旋转。
10.如权利要求7或8所述的基片处理方法,其特征在于:
在对旋转的所述排气管排出作为所述液体的所述稀氟酸后,对旋转的所述排气管排出作为所述液体的冲洗液。
11.一种计算机可读取的存储介质,其特征在于:
存储有用于使基片处理装置执行权利要求1、2、7或8中任一项所述的基片处理方法的程序。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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