[发明专利]神经光电极及其制备方法有效
申请号: | 201910132172.7 | 申请日: | 2019-02-22 |
公开(公告)号: | CN109820481B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 裴为华;徐淮良;苏越;杨晓伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | A61B5/00 | 分类号: | A61B5/00;A61N1/05 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 神经 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种神经光电极,其特征在于,包括:
蓝宝石光阵列器件,具有多个光源,多个所述光源为神经光电极的多个刺激通道,对多个脑区进行刺激并记录;
金属丝电极,一端固定于所述光源旁边,所述金属丝电极采用多根旋转集成的组装方式,为所述神经光电极的记录通道;
紫外胶,将所述金属丝电极贴附在所述光源旁边,使得所述刺激通道和所述记录通道在空间范围内隔离,用于降低电刺激噪声;
其中,所述金属丝电极的端点为记录点,多根所述金属丝电极的端点暴露在所述紫外胶之外,多根所述金属丝电极的端点集成在一起。
2.根据权利要求1所述的神经光电极,其特征在于,所述蓝宝石光阵列器件自下而上依次包括蓝宝石基底、n-型GaN层、p-型GaN层、ITO层、SiO2下绝缘层、金属电极层以及SiO2上绝缘层。
3.根据权利要求2所述的神经光电极,其特征在于,所述蓝宝石光阵列器件的n-型GaN层与p-型GaN层形成多个光源;所述多个光源为所述神经光电极的多个刺激通道。
4.根据权利要求1所述的神经光电极,其特征在于,所述金属丝电极的一端固定于预设光源旁边。
5.根据权利要求1所述的神经光电极,其特征在于,所述金属丝电极保持平直,为所述神经光电极的记录通道。
6.一种神经光电极的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
采用MEMS工艺在蓝宝石基底上制备出蓝宝石光阵列;
对所述蓝宝石光阵列进行划片,得到独立的蓝宝石光阵列器件;
将所述蓝宝石光阵列器件封装在PCB板上,并将所述PCB板尾端焊接到插线板;
将金属丝电极通过紫外胶固定在所述蓝宝石光阵列器件表面;
将所述金属丝电极的尾端除去绝缘层,焊接到所述插线板上;
将所述金属丝电极采用多根旋转集成的方式进行组装。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,将所述蓝宝石光阵列器件封装在PCB板上,并将所述PCB板尾端焊接到插线板的步骤之前,所述方法还包括:
制作与所述蓝宝石光阵列器件对应的PCB板。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,将所述金属丝电极通过紫外胶固定在所述蓝宝石光阵列器件的表面的步骤之前,所述方法还包括:
暴露所述金属丝电极的端点。
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