[发明专利]具有超低衰减大有效面积的单模光纤

权利要求书

1.一种具有超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r₁为5.5～7.5μm，相对折射率差△n₁为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层、第一辅助外包层、第二外辅助外包层和外包层，所述的光纤的内包层半径r₂为11～17μm，相对折射率差△n₂为-0.20～0，所述的下陷内包层半径r₃为15～19μm，相对折射率差△n₃为-0.60～-0.20％，所述的第一辅助外包层半径r₄为35～47μm，相对折射率差△n₄范围为-0.4～-0.10％，所述的第二辅助外包层半径r₅为40～52μm，相对折射率差△n₅范围为-0.4～-0.10％，所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。

2.按权利要求1所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述的第一层辅助外包层的相对折射率可高于或低于第二层辅助外包层的相对折射率，其差值小于等于0.30％。

3.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述的芯层为锗与碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，其中碱金属含量为500～5000ppm。

4.按权利要求3所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述芯层中的碱金属为锂、钠、钾、铷、铯、钫碱金属离子中的一种或多种。

5.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长的有效面积为120～160μm ²。

6.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤的成缆截止波长等于或小于1530nm。

7.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处的色散等于或小于23ps/nm*km且等于或大于17ps/nm*km，所述光纤在波长1550nm处的色散斜率等于或小于0.07ps/nm²*km且等于或大于0.05ps/nm²*km，所述光纤在波长1625nm处的色散等于或小于27ps/nm*km。

8.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处的衰耗等于或小于0.165dB/km；所述光纤在波长1625nm处的衰耗等于或小于0.175dB/km。

9.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1700nm处的微弯损耗等于或小于5dB/km。微弯是指光纤发生一些曲率半径可以与光纤横截面尺寸相比拟的畸变；所述光纤在波长1550nm处，R30mm弯曲半径弯曲100圈的宏弯损耗等于或小于0.1dB。

10.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的模场直径为12.0μm～15.0μm。