[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法

权利要求书

1.一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：

在基板上准备作为多个种晶的多个III族氮化物的种晶准备工序；以及

通过在包含氮气的气氛下，使所述种晶的表面接触包含碱金属和选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素的熔液，从而使所述III族元素与所述氮在所述熔液中发生反应，使III族氮化物结晶生长的结晶生长工序，

所述结晶生长工序包括：

由所述多个种晶分别生长截面为三角形或梯形的多个第一III族氮化物结晶的第一结晶生长工序；以及

使第二III族氮化物结晶在所述多个第一III族氮化物结晶的间隙中生长的第二结晶生长工序，

其中，所述第一结晶生长工序中，使所述基板浸渍于所述熔液，所述第二结晶生长工序中，将所述基板在所述熔液中的浸渍和提起反复进行多次。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述第二结晶生长工序中，在通过所述第一结晶生长工序而形成的所述第一III族氮化物结晶的倾斜面上形成多个III族氮化物结晶层。

3.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，在所述第二结晶生长工序中，使所述基板浸渍于所述熔液的时间短于将所述基板从所述熔液提起的时间。

4.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，在所述第二结晶生长工序中，在所述基板相对于所述熔液的液面发生倾斜的状态下，使所述基板沿着所述熔液的液面上下进行升降。

5.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，在所述第二结晶生长工序中，在所述基板从所述熔液提起的期间内，使所述基板相对于所述熔液的液面至少倾斜一次。

6.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，在所述第二结晶生长工序中，在所述基板从所述熔液提起的期间内，以所述基板上存在的所述熔液的覆膜的厚度达到规定量的方式进行控制。

7.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述结晶生长工序还包括：在所述第二结晶生长工序之后，生长表面平坦的第三III族氮化物结晶的第三结晶生长工序。

8.根据权利要求7所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述第三结晶生长工序中，使所述基板浸渍于所述熔液。

9.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其还包括：在所述结晶生长工序之后，将所述III族氮化物结晶与所述基板在所述种晶的附近进行分离的工序。

10.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述第一结晶生长工序进行至所述多个第一III族氮化物结晶在至少一部分底面端部彼此结合为止。

11.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述第二结晶生长工序在所述多个第一IⅡ族氮化物结晶在至少一部分底面端部彼此结合之后进行。