[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理装置用构件

权利要求书

1.一种等离子处理装置，其特征在于，具备：

处理室，其配置于真空容器内部，在其内部形成等离子；和

构件，其构成该处理室的内壁表面，具有配置在暴露于所述等离子的表面且通过在大气压下使用等离子热喷镀氟化钇或包含氟化钇的材料而形成的覆膜，

构成所述覆膜的氟化钇或包含氟化钇的材料的斜方晶的结晶相对于整体的比率为60％以上，

所述结晶的平均晶粒尺寸的大小为50nm以下。

2.一种等离子处理装置用构件，其构成具备处理室的等离子处理装置的所述处理室的内壁表面，其中，所述处理室配置于真空容器内部且在其内部形成等离子，所述等离子处理装置使用在该处理室内生成的等离子对配置于该处理室内的样品进行处理，

所述等离子处理装置用构件的特征在于，

具备配置在暴露于所述等离子的表面的覆膜，该覆膜通过在大气压下使用等离子热喷镀氟化钇或包含氟化钇的材料而形成，构成所述覆膜的氟化钇或包含氟化钇的材料的斜方晶的结晶相对于整体的比率是60％以上，

所述结晶的平均晶粒尺寸的大小为50nm以下。