[发明专利]发光二极管

说明书

一种发光二极管，包括：基板；半导体层叠体，配置于基板上且包括下部半导体层、上部半导体层、活性层和分离槽，活性层夹设于下部半导体层与上部半导体层之间，并且分离槽通过上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出基板；第一电极板；上部延伸部，上部延伸部和第一电极板电连接到上部半导体层；第二电极板；下部延伸部，下部延伸部和第二电极板电连接到下部半导体层；连接部，横穿分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，连接部的宽度大于上部延伸部和下部延伸部的宽度；第一电流阻挡层，配置于下部延伸部之下；第一绝缘层，夹设于连接部与隔离槽之间，第一绝缘层的宽度大于连接部的宽度，其中，第一电流阻挡层连接到第一绝缘层。

本申请是申请日为2017年04月18日、申请号为201710252668.9、题为“发光二极管”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，更为具体地涉及一种高效发光二极管。

背景技术

发光二极管(LED)是将电能转换为光的固态发光元件。发光二极管在背光单元、照明装置、信号机、大型显示器等中作为光源而广为利用。随着照明用LED市场扩大且照明用LED的应用范围向大电流密度、大功率输出领域方向扩大，要求改善在大电流驱动时的用于稳定的驱动的发光二极管的特性。

通常，如果增加施加到发光二极管的电流密度，则从发光二极管发射出的光量也会增加。然而，随着电流密度的增加，发生外部量子效率下降的下垂(droop)现象。下垂现象意味着光损耗比率随着电流密度的增加而增加，下垂现象阻碍提高由lm/W表示的发光效率(efficacy)。

发明内容

本发明所要解决的课题是提供一种适合提供高效发光元件的发光二极管。

本发明所要解决的另一课题是提供一种下垂现象得到改善的发光二极管。

本发明所要解决的又一课题是提供一种电连接两个以上的发光单元的连接部的断开故障得到改善的发光二极管。

根据本发明的一实施例，提供一种半导体二极管，其包括：基板；半导体层叠体，配置于所述基板上并且包括下部半导体层、上部半导体层、活性层和分离槽，其中，所述活性层夹设于所述下部半导体层与所述上部半导体层之间，并且所述分离槽通过所述上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出所述基板；第一电极板；上部延伸部，其中，所述上部延伸部和第一电极板电连接到所述上部半导体层；第二电极板；下部延伸部，其中，所述下部延伸部和第二电极板电连接到所述下部半导体层；连接部，横穿所述分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，所述连接部的宽度大于所述上部延伸部和下部延伸部的宽度；第一电流阻挡层，配置于所述下部延伸部之下；第一绝缘层，夹设于所述连接部与所述隔离槽之间，其中，所述第一绝缘层的宽度大于所述连接部的宽度，其中，第一电流阻挡层连接到所述第一绝缘层。

根据本发明的另一实施例，提供一种发光二极管，其特征在于，包括：基板；半导体层叠体，位于所述基板上，包括下部半导体层、上部半导体层以及配置于所述下部半导体层和所述上部半导体层之间的活性层，具有通过所述上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出所述基板的分离槽；第一电极板以及上部延伸部，与所述上部半导体层电连接；第二电极板以及下部延伸部，与所述下部半导体层电连接；连接部，横穿所述分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，具有比所述上部延伸部和下部延伸部的宽度宽的宽度；第一电流阻挡层，夹设于所述下部延伸部和所述下部半导体层之间；以及第二电流阻挡层，夹设于所述第二电极板和所述下部半导体层之间，其中，所述第一电流阻挡层包括互相隔开的多个点，各点的宽度比所述下部延伸部的宽度更宽，所述第二电流阻挡层的宽度比所述第二电极板的宽度窄，从所述分离槽至所述第一电流阻挡层的最短距离比所述多个点之间的间隔距离大。