[发明专利]一种OLED显示面板及其制备方法在审
| 申请号： | 201910136144.2 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN109755286A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 吴焕达 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 像素开口 阴极层 衬底基板 金属层 发光层 阳极层 间隙位置 电连接 电阻 申请 | ||
1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板上定义有像素开口区；
阳极层，对应所述像素开口区制备于所述衬底基板上；
发光层，对应所述像素开口区制备于所述阳极层上；
阴极层，整面的制备于所述发光层上；以及
金属层，制备于所述阴极层上，且对应相邻两所述像素开口区之间的间隙位置设置；
其中，所述金属层与所述阴极层电连接，使得所述金属层与所述阴极层并联后整体的电阻小于所述阴极层自身的电阻。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述金属层为网状结构。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述金属层呈条状或片状并阵列分布于相邻两所述像素开口区之间的间隙位置。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述金属层的厚度为30埃～400埃之间。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述金属层包括电阻在0.05～15ohm/sq范围内的金属材料。
6.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述金属层的材料为银、铝、铜、铬中的一种或一种以上。
7.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S10，在衬底基板上形成图案化的像素定义层，所述像素定义层界定出像素开口区；
步骤S20，在所述衬底基板对应所述像素开口区形成发光层，在所述发光层上形成整面的阴极层；
步骤S30，在所述阴极层上对应相邻两所述像素开口区之间的间隙位置形成金属层，所述金属层与所述阴极层电连接，使得所述金属层与所述阴极层并联后整体的电阻小于所述阴极层自身的电阻。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，采用金属掩膜板通过蒸镀工艺在所述阴极层上形成所述金属层，其中，所述金属掩膜板包括开口部和遮挡部，所述开口部对应相邻两所述像素开口区之间的间隙位置。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述金属层包括电阻在0.05～15ohm/sq范围内的金属材料。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料为银、铝、铜、铬中的一种或一种以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
