[发明专利]立体NAND存储器的锯齿型电荷储存结构

权利要求书

1.一种存储器元件，包括：

一导电条带堆叠结构，位于一基材上，由多个导电条带所组成，且这些导电条带是通过多个绝缘层来彼此隔离；

一垂直通道结构，位于穿过该导电条带堆叠结构直到该基材的一开孔中；

多个电荷储存结构，设置在这些导电条带和该垂直通道结构的多个交叉点上，且这些电荷储存结构包括多重材料层；

这些绝缘层具有多个侧壁，由该垂直通道结构向内凹陷，这些电荷储存结构的该多重材料层中的一电荷储存层设置于每一这些绝缘层的该侧壁上；以及

一介电材料，设置在该垂直通道结构与位于这些绝缘层的这些侧壁上的该电荷储存层之间。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该导电条带堆叠结构包括一顶部导电条带阶层、多个中间导电条带阶层和一底部导电条带阶层；这些电荷储存结构的该多重材料层中的一阻挡层和该电荷储存层，沿着该中间导电条带阶层的多个导电条带侧面以及这些绝缘层的这些侧壁形成锯齿状凹陷。

3.根据权利要求2所述的存储器元件，其中这些电荷储存结构的该多重材料层中的一隧穿层设置在该电荷储存层和该介电材料上方。

4.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该垂直通道结构，包括：

一第一通道薄膜，位于这些电荷储存结构的该多重材料层中的该隧穿层上方；以及

一第二通道薄膜，位于该第一通道薄膜上方。

5.根据权利要求4所述的存储器元件，更包括一焊垫，具有一上端连接到该第二通道薄膜。

6.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该导电条带堆叠结构包括一顶部导电条带阶层、多个中间导电条带阶层和一底部导电条带阶层；更包括：

一结晶半导体插塞，位于该开孔中，设置在该基材上并与该基材接触；且该结晶半导体插塞具有一顶表面，位于该中间导电条带阶层的下方，以及该底部导电条带阶层的上方。

7.根据权利要求6所述的存储器元件，其中该垂直通道结构，包括：

一第一通道薄膜，位于该电荷储存结构的该多重材料层中的该隧穿层上方；以及

一第二通道薄膜，位于该第一通道薄膜上方，并且连接至该结晶半导体插塞。

8.根据权利要求6所述的存储器元件，更包括：一高介电系数材料层，设置在该结晶半导体插塞和该中间导电条带阶层的多个导电条带之间。

9.根据权利要求1所述的存储器元件，更包括：

一源极线，穿过该导电条带堆叠结构，连接到该基材，并通过一间隙壁与该导电条带堆叠结构中的多个导电条带隔离；以及

该间隙壁连接到一底部绝缘层，该底部绝缘层是用来将该导电条带堆叠结构的该底部导电条带阶层与该基材隔离。

10.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该导电条带堆叠结构包括一顶部导电条带阶层、多个中间导电条带阶层和一底部导电条带阶层；更包括：

一高介电系数材料层，设置在这些电荷储存结构和该中间导电条带阶层的多个导电条带之间。