[发明专利]立体存储器元件及其制作方法

权利要求书

1.一种立体存储器元件，包含：

一基材；

多个导电层以及多个绝缘层，彼此交错叠层位于该基材上，以形成一多层叠层结构；

一储存层，穿过该多层叠层结构，且具有一第一串行部以及一第二串行部；

一第一通道部，位于该第一串行部的一侧边，且该第一串行部位于该多层叠层结构与该第一通道部之间；

一第二通道部，位于该第二串行部的一侧边，且该第二串行部位于该多层叠层结构与该第二通道部之间，该第一通道部与该第二通道部各包含一上通道部分以及一下通道部分；以及

一第一导电插塞，连接于该上通道部分以及该下通道部分之间；

其中，该上通道部分包含一外通道层以及一内通道层，该外通道层位于该储存层与内通道层之间，且与该第一导电插塞分离。

2.根据权利要求1所述的立体存储器元件，还包含一刻蚀阻挡层位于该多层叠层结构中，且位于该第一导电插塞一侧。

3.根据权利要求1所述的立体存储器元件，还包含一底部通道，且该第一通道部与该第二通道部的该下通道部分为彼此分离的U型通道，且连接至该底部通道的两端。

4.根据权利要求1所述的立体存储器元件，更包含一介电隔墙，位于该储存层的该第一、二串行部之间，该介电隔墙包含一上部以及一下部，该下部的顶端的截面宽于该上部的底端的截面。

5.根据权利要求1所述的立体存储器元件，还包含一第二导电插塞，其位于该多层叠层结构上方且连接至该上通道部分。

6.根据权利要求5所述的立体存储器元件，还包含一刻蚀阻挡层，其位于该多层叠层结构上方且位于该第二导电插塞一侧。

7.根据权利要求5所述的立体存储器元件，其中该第一导电插塞与该第二导电插塞的材质为掺杂的多晶硅。

8.一种立体存储器元件的制造方法，包含：

交替沉积多个第一导电层以及第一绝缘层于一基材上；

刻蚀一第一通孔穿越这些第一导电层以及这些第一绝缘层；

沉积一第一储存层于该第一通孔内；

沉积一下通道部于该第一储存层上；

沉积一第一导电插塞接触该下通道部；

交替沉积多个第二导电层以及第二绝缘层于该第一导电插塞上；

刻蚀一第二通孔穿越这些第二导电层以及这些第二绝缘层以暴露该第一导电插塞；

沉积一第二储存层于该第二通孔内；

沉积一第二通道层于该第二储存层上；

刻蚀该第二储存层以及该第二通道层以暴露该第一导电插塞，且刻蚀后剩余的该第二通道层位于该第二储存层的侧壁；

沉积一第三通道层于刻蚀后剩余的该第二通道层上以形成一上通道部，其接触该第一导电插塞；以及

沉积一第二导电插塞接触该上通道部的顶端。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中在沉积这些第二通道层以及这些第二绝缘层前，还包含：

刻蚀一第一沟道以切割该第一导电插塞、该第一储存层以及该下通道部；

沉积一第一介电隔墙以填入该第一沟道；

刻蚀一第二沟道以切割该第二导电插塞、该第二储存层以及该上通道部以暴露该第一介电隔墙；以及

沉积一第二介电隔墙以填入该第二沟道，并接触该第一介电隔墙。