[发明专利]湿式除害装置在审

专利信息
申请号: 201910136961.8 申请日: 2019-02-25
公开(公告)号: CN110195694A 公开(公告)日: 2019-09-03
发明(设计)人: 稻田高典;细谷和正;宫崎一知;松本孝平 申请(专利权)人: 株式会社荏原制作所
主分类号: F04B37/14 分类号: F04B37/14;F04B39/06;F04B39/16;B01D47/06
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 肖华
地址: 日本国东京都*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 吸入壳体 处理气体 液膜 除害装置 吸入口 形成部 湿式 导出口 加热器 液体接触 内壁面 无害化 异物 壁部 埋入 吸入 加热 堆积 流动
【说明书】:

提出一种能够抑制异物在处理气体的路径堆积的湿式除害装置。该湿式除害装置用于通过使处理气体与液体接触来进行无害化,具备:吸入壳体,该吸入壳体具有吸入处理气体的吸入口及与吸入口相比设置于下方并供处理气体流动的导出口;以及液膜形成部,该液膜形成部设置于吸入口与导出口之间并在吸入壳体的内壁面形成液膜。在吸入壳体中的构成比液膜形成部靠上方的部分的壁部的内部埋入有对吸入壳体进行加热的加热器。

技术领域

本发明涉及一种湿式除害装置,详细而言,涉及一种用于通过使处理气体与液体接触而进行无害化的湿式除害装置。

背景技术

真空泵装置作为半导体、液晶、太阳能板或LED等的制造设备的一个而被广泛使用。在它们的制造工艺等中,将真空泵连接于真空室而通过真空泵对导入到真空室内的处理气体进行抽真空。在由真空泵进行抽真空的气体中,有时会包含硅烷气体(SiH4)、二氯硅烷气体(SiH2Cl2)、氨(NH3)等有害可燃性气体或者NF3、ClF3、SF6、CHF3、C2F6、CF4等卤素系难分解性气体,无法直接排放至大气中。因此,以往,在真空泵装置中,在真空泵的后段设置有对抽真空的气体进行无害化处理的除害装置。作为气体的无害化处理,已知使处理气体与液体接触而除去异物及水溶性成分等的湿式处理以及使处理气体燃烧的燃烧式处理等。

另外,在从真空泵排出的处理气体中,有由于在真空室内的反应等而固态化的物质或者容易固态化的物质混入作为反应副生成物的情况。当这样的生成物侵入除害装置时,会导致配管及除害装置的堵塞或除害装置的处理效率的降低。因此,有时会在真空泵装置与除害装置之间设置用于去除异物的异物除去机构。

作为异物除去机构,例如能够使用过滤器或捕集器等。过滤器或捕集器能够以简单的结构除去异物,但需要定期地进行更换过滤器等的维护。另外,作为异物除去机构,还已知一种具备对气体进行搅拌的风扇、驱动风扇的电动机及喷出液体的喷嘴的风扇洗涤器。在风扇洗涤器中,通过从喷嘴喷出的液体来捕捉异物。风扇洗涤器作为异物除去机构而发挥功能并且还作为湿式除害装置发挥功能。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2003-251130号公报

以往的异物除去机构或者除害装置有在发挥其功能的部位的上游侧的配管等堆积冷凝性生成物等异物的情况。为了防止这样的向着配管的异物的堆积,使配管升温或在配管形成湿壁(液面)形成,或者利用刮板等机械性地进行刮落。在此,在使配管升温的情况下,希望配管升温至例如150℃以上的高温。但是,在湿式除害装置中,在被供给液体的区域附近由于液体而使得配管的温度下降,有在其附近堆积异物的情况。另外,在形成湿壁的情况下,也会有在该湿壁的上游侧处堆积冷凝性生成物等异物或者在用于形成湿壁的液体供给部堆积二氯硅烷(SiH2Cl2)等水溶性气体与水的反应生成物的情况。在与水反应的生成物中,有时会生成未完全反应的不稳定的状态的反应物,具体而言生成产生氢的反应性高的硅氧烷混合物。已知在被供给液体的区域附近,通过刮板等去除异物的情况下,由摩擦产生的静电成为着火源,伴有着火的危险。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于提供一种能够抑制在处理气体的路径堆积异物的湿式除害装置。

用于解决课题的手段

根据本发明的一实施方式,提出一种用于通过使处理气体与液体接触来进行无害化的湿式除害装置。该湿式除害装置具备:吸入壳体,该吸入壳体具有吸入口和导出口,该吸入口吸入所述处理气体,该导出口与该吸入口相比设置于下方并供所述处理气体流动的;以及液膜形成部,该液膜形成部设置于所述吸入口与所述导出口之间,并在所述吸入壳体的内壁面形成液膜,在所述吸入壳体中的构成比所述液膜形成部靠上方的部分的壁部的内部埋入有对所述吸入壳体进行加热的加热器。

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