[发明专利]一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910137132.1 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN109692678A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘灿军;陈述;宋志文;王京晶;陈立衡;谷慧 | 申请（专利权）人： | 湖南科技大学 |
| 主分类号： | B01J23/30 | 分类号： | B01J23/30;B01J35/06 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 韩冬 |
| 地址： | 411201 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米薄膜 刻蚀 半导体纳米材料 光催化剂材料 纳米催化剂 表面催化 表面刻蚀 表面吸附 高温处理 活性位点 纳米结构 生水 粗糙度 后表面 热反应 酸处理 制造 | ||
1.一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法，包括以下步骤：
步骤一：将WO3纳米薄膜表面吸附Bi3+，经过450~600℃高温处理，得Bi2WO6/WO3纳米薄膜；
步骤二：将所述Bi2WO6/WO3纳米薄膜置于含硫反应液中发生水热反应，得Bi2S3/WO3纳米薄膜；
步骤三：将所述Bi2S3/WO3纳米薄膜进行酸处理，干燥，得刻蚀后表面粗糙度均匀的WO3纳米薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法，其特征在于：步骤一所述WO3纳米薄膜为纳米棒阵列薄膜或纳米晶多孔薄膜。
3.根据权利要求2所述的一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法，其特征在于：将所述WO3纳米薄膜置于温度为50~100℃恒温干燥箱中加热30~100分钟，趁热使所述WO3纳米薄膜表面吸附Bi3+。
4.根据权利要求3所述的一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法，其特征在于：所述表面吸附Bi3+是将所述WO3纳米薄膜浸泡于含Bi3+溶液或将含Bi3+溶液滴涂在所述WO3纳米薄膜表面。
5.根据权利要求4所述的一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法，其特征在于：所述含Bi3+溶液的浓度为0.1~5 mol/L。
6.根据权利要求1所述的一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法，其特征在于：步骤二所述Bi2WO6/WO3纳米薄膜样品面朝上或斜靠内壁置于高温反应釜中进行水热反应。
7.根据权利要求1所述的一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法，其特征在于：步骤二所述含硫反应液为硫脲溶液或硫代乙酰胺溶液。
8.根据权利要求7所述的一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法，其特征在于：所述含硫反应液浓度为1~10 g/L。
9.根据权利要求1所述的一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法，其特征在于：步骤二所述水热反应温度为80~200℃，反应时间为 0.5~12 小时。
10.根据权利要求1所述的一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法，其特征在于：步骤三所述酸处理为将所述Bi2S3/WO3纳米薄膜浸泡于酸性溶液内，所述酸性溶液的H+浓度为0.1~25 mol/L。
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