[发明专利]一种耐污罩光材料的制备方法在审
申请号: | 201910137194.2 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN110003756A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 谭辉展 | 申请(专利权)人: | 常州市奥普泰克光电科技有限公司 |
主分类号: | C09D151/08 | 分类号: | C09D151/08;C09D5/16;C09D7/61;C09D7/63;C09D7/65;C08G77/442;C08F283/12;C08F212/08;C08F220/14;C08F220/06;C08F220/18;C08F2/26;C08F2/30 |
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地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 罩光 聚硅氧烷 耐污 主链 制备 附着力 耐热性 玻璃化转变 有机官能团 有机聚合物 柔韧性 电绝缘性 抗压缩性 耐沾污性 缩聚反应 氧化物质 氧化状态 养护材料 有机改性 硅氧键 聚合物 耐辐射 碳碳键 有机硅 键能 降解 交联 生产成本 重复 赋予 平衡 | ||
本发明涉及一种耐污罩光材料的制备方法,属于养护材料技术领域。本发明通过添加聚硅氧烷,制备耐污罩光材料,聚硅氧烷具有卓越的耐热性、电绝缘性和较小的表面张力,此外还具有低的粘温系数、较高的抗压缩性、耐辐射的性能,本发明利用聚硅氧烷的多功能性,通过缩聚反应将各种有机官能团连接到聚硅氧烷的主链上,主链上重复的硅氧键的键能高于有机聚合物的碳碳键,且其氧化状态使之特别耐氧和其它氧化物质,因此使罩光材料耐降解,同时,有机改性平衡了聚合物的柔韧性和附着力等性能,还降低了生产成本,聚硅氧烷因为交联密度高,有很高的玻璃化转变温度,再加上有机硅主链又赋予罩光材料很低的表面张力,因而使罩光材料具有很好的耐沾污性。
技术领域
本发明涉及一种耐污罩光材料的制备方法,属于养护材料技术领域。
背景技术
近年来,为了达到最佳装饰效果,各个场所都开始采用地坪进行地面装饰,但很多地坪在后期使用过程中,要付出高昂的维护成本,其中以清洁费最高;而且如果清洁方法不正确,容易造成地坪损坏,使用寿命变短。如何清洁地坪、并最小程度的损坏地坪,是一个亟待解决的问题,尤其对于医院等对清洁度有高要求的场所。中国专利号CN2007100093415公开了一种地坪漆,由胶料、骨料、罩面养护剂组成;其中罩面养护剂主要是由特种丙烯酸树脂25-35%,甲苯有机溶剂45-75%等组成,对地坪起到保护的作用。但甲苯是一种有毒溶剂,长期接触容易导致人体的慢性中毒,且对环境有严重危害,对空气、水环境及水源可造成污染。因此该专利提供的罩面养护剂不够环保。
地坪的后期清洁需要投入大量的人力、物力、财力,尤其是聚氨酯类弹性地坪更容易沾上灰尘、油渍等污渍;且很多地坪在室外,风吹日晒,很容易老化;再加上地坪在后期清洁时如果没有专业人员的保养与维护,很容易损坏地坪;这些原因导致地坪的使用寿命变短。
现有技术中的耐磨罩光材料只是将材料水泥、砂子和少量添加物进行搅拌、混合组成,其缺陷是容易开裂、起尘、起砂,缺乏弹性,而且亮度差,湿滑严重;此外,还存在耐酸碱性差、耐脏性差、不耐油污、不易清洁的缺陷,很难满足现今厂房、实验室、办公室和居室等对地坪使用的高要求。
因此,如何寻求一种方法使得地坪耐玷污,从而延长地坪的使用寿命,是急需解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题:针对现有技术中的耐磨罩光材料耐脏性差的问题,提供了一种耐污罩光材料的制备方法。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
(1)将聚乙烯醇加入去离子水中,在80~90℃水浴下以150~200r/min转速搅拌15~20min,得聚乙烯醇溶液;
(2)将乙烯基三甲氧基硅烷加入聚乙烯醇溶液中,常温下以200~250r/min转速搅拌20~30min,得有机硅聚乙烯醇溶液;
(3)将有机硅改性苯丙乳液、含硅罩光剂、乙二醇加入有机硅聚乙烯醇溶液中,在85~90℃水浴下以300~350r/min转速搅拌1~1.5h,保温,得机理液;
(4)将六偏磷酸钠、滑石粉和氧化锌加入机理液中,在85~90℃水浴下以1500~1800r/min转速高速搅拌2~3h,超温分散10~15min,得耐污罩光材料。
所述的氯偏胶乳、聚乙烯醇、乙二醇、含硅罩光剂、乙烯基三甲氧基硅烷、滑石粉、20六偏磷酸钠、氧化锌、去离子水的重量份为50~60份氯偏胶乳、50~60份聚乙烯醇、25~30份乙二醇、80~90份含硅罩光剂、3~5份乙烯基三甲氧基硅烷、20~30份滑石粉、20~30份六偏磷酸钠、15~20份氧化锌、150~200份去离子水。
步骤(1)所述的聚乙烯醇为平均分子量16000~20000、黏度4.0~7.0的低黏度聚乙烯醇。
步骤(3)所述的含硅罩光剂具体制备步骤为:
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