[发明专利]设备前端模块在审
申请号: | 201910137404.8 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN110277338A | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 河合俊宏;小仓源五郎 | 申请(专利权)人: | 昕芙旎雅有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供给管 输送室 支承板 壳体 设备前端模块 非活性气体 方式配置 垂直地 供给口 连通口 配置的 风扇 室内 覆盖 流动 | ||
本发明提供一种EFEM。易于使非活性气体在输送室内垂直地流动,使灰尘不易飞扬。EFEM含有:壳体(2),其在内部构成输送室;支承板(37),其用于在壳体(2)内的输送室的上方构成FFU设置室(42);供给管(47),其用于向FFU设置室(42)供给氮;以及风扇,其为3个,以分别将形成于支承板(37)的连通口(37a)覆盖的方式配置。供给管(47)具有在FFU设置室(42)内分散地配置的3个供给口(47a)。
技术领域
本发明涉及一种能向封闭后的输送室供给非活性气体而置换为非活性气体气氛的EFEM(Equipment Front End Module,设备前端模块)。
背景技术
在专利文献1中记载了一种EFEM,该EFEM含有装载口和壳体,上述装载口供收纳有晶圆(半导体基板)的FOUP(Front-Opening Unified Pod,前开式晶圆传送盒)载置,通过使装载口与设于前表面壁的开口连接而将上述壳体封闭,上述壳体形成有进行晶圆的输送的输送室,该EFEM在FOUP与对晶圆实施预定的处理的处理装置之间进行晶圆的交接。
以往,输送室内的氧、水分等对在晶圆上制造的半导体电路的影响较少,但近年来,随着半导体电路的进一步微细化,上述影响变得明显起来。于是,专利文献1记载的EFEM构成为利用作为非活性气体的氮来填满输送室内。具体而言,EFEM具有循环流路、气体供给部件、风扇以及气体排出部件,上述循环流路供氮在壳体的内部循环,由输送室和气体回归通路构成,上述气体供给部件向气体回归通路的上部空间供给氮,上述风扇为多个,配置于气体回归通路的上部空间,将非活性气体送出到输送室,上述气体排出部件自气体回归通路的下部排出氮。根据循环流路内的氧浓度等的变动,适当地供给以及排出氮。由此,能将输送室内保持为氮气氛。
专利文献1:日本特开2015-146349号公报
发明内容
但是,在所述专利文献1记载的EFEM中,气体供给部件与气体回归通路的上部空间连接,自该连接部位即1个部位的供给口供给非活性气体,因此在上部空间内,风扇的吸入侧的压力对于每个风扇而言是不均的,自各风扇向输送室的供给量产生不均。也就是说,在自多个风扇的排列方向的一侧供给非活性气体的情况下,虽然向一风扇供给充分的量的非活性气体,但向另一风扇供给非活性气体的供给量变得比一风扇少。也就是说,在上部空间内,一风扇的吸入侧的压力变得大于另一风扇的吸入侧的压力,自各风扇向输送室供给非活性气体的供给量产生不均。结果,输送室内的非活性气体的气流产生紊乱,产生灰尘易于飞扬的问题。
于是,本发明的目的在于,提供一种能使非活性气体垂直地流到输送室内并且灰尘不易飞扬的EFEM。
本发明的EFEM包括:壳体,通过使装载口与设于分隔壁的开口连接而将所述壳体封闭,所述壳体在内部构成用于输送基板的输送室;基板输送装置,其配置在所述输送室内,进行所述基板的输送;分隔构件,其设在所述壳体内,用于在所述输送室的上方构成上部空间;非活性气体供给部件,其用于向所述上部空间供给非活性气体;连通口,其为多个,形成于所述分隔构件,使所述输送室与所述上部空间连通;鼓风器,其为多个,配置为分别覆盖所述连通口,用于经由所述连通口将所述上部空间的非活性气体输送到所述输送室;气体吸引口,其设在所述输送室的下部,吸引该输送室内的非活性气体;气体回归通路,其使自所述气体吸引口吸引的非活性气体向所述上部空间回归;以及气体排出部件,其用于排出所述输送室内的气体。并且,所述非活性气体供给部件具有在所述上部空间内分散地配置的用于供给非活性气体的多个供给口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造